[发明专利]OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种OLED阵列基板，其包括：开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的S因子小于驱动薄膜晶体管的S因子。

2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管均包括有源区、栅极，以及将有源区和栅极绝缘隔开的栅极绝缘层，所述驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度为第一厚度，所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度为第二厚度，且第一厚度大于第二厚度。

3.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度在400～800nm之间；

所述驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度在800～2000nm之间。

4.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，所述开关薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管；

所述驱动薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。

5.一种OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

通过构图工艺，在基底上同时形成包括开关薄膜晶体管有源区和驱动薄膜晶体管有源区的图形；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第一厚度的驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层和第二厚度的开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的图形，且第一厚度大于第二厚度；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括开关薄膜晶体管栅极和驱动薄膜晶体管栅极的图形。

6.根据权利要求5所述的OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成包括第一厚度的驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层和第二厚度的开关薄膜晶体管的栅极绝缘层，且第一厚度大于第二厚度的步骤具体包括：

在形成有开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管有源区的基底上，形成第一厚度的栅极绝缘层；

在完成上述步骤的基底上，涂覆一层光刻胶；

在完成上述步骤的基底上，去除开关薄膜晶体管的栅极绝缘层上方的光刻胶；

在完成上述步骤的基底上，将开关薄膜晶体管的栅极绝缘层减薄处理，剩余第二厚度的栅极绝缘层；

在完成上述步骤的基底上，去除驱动薄膜晶体管上方的光刻胶。

7.根据权利要求5所述的OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，所述形成包括第一厚度的驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层和第二厚度的开关薄膜晶体管的栅极绝缘层，且第一厚度大于第二厚度的步骤具体包括：

在形成有开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管有源区的基底上，形成第三厚度栅极绝缘层；

在完成上述步骤的基底上，将驱动薄膜晶体管上方的栅极绝缘层上涂覆光刻胶；

在完成上述步骤的基底上，去除裸露的栅极绝缘层；

在完成上述步骤的基底上，去除驱动薄膜晶体管上方的光刻胶；

在完成上述步骤的基底上，形成第四厚度的栅极绝缘层，得到第一厚度的驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层和第二厚度的开关薄膜晶体管的栅极绝缘层。

8.一种OLED阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

通过构图工艺，在基底上同时形成包括开关薄膜晶体管栅极和驱动薄膜晶体管栅极的图形；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括第一厚度的驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层和第二厚度的开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的图形，且第一厚度大于第二厚度；

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括开关薄膜晶体管有源区和驱动薄膜晶体管有源区的图形。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～4中任意一项所述的OLED阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。