[发明专利]OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置无效

申请号：	201310682551.6	申请日：	2013-12-12
公开（公告）号：	CN103715226A	公开（公告）日：	2014-04-09
发明（设计）人：	亢澎涛	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L27/32	分类号：	H01L27/32;H01L51/56
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	柴亮;张天舒
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	oled 阵列及其制备方法显示面板显示装置
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【说明书】：

技术领域

本发明属于主动矩阵式有机发光显示器（AMOLED）技术领域，具体涉及一种OLED阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)相比现在的主流显示技术薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transisitor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)，具有广视角、高亮度、高对比度、低能耗、体积更轻薄等优点，是目前平板显示技术关注的焦点。

有机发光显示器的驱动方法分为被动矩阵式(PM,Passive Matrix)和主动矩阵式(AM，Active Matrix)两种。而相比被动矩阵式驱动，主动矩阵式驱动具有显示信息量大、功耗低、器件寿命长、画面对比度高等优点。目前主动矩阵式有机发光显示器（AMOLED）主要使用低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS-TFT）驱动OLED发光，如图1所示，一般而言主动矩阵式有机发光显示器件包括，开关薄膜晶体管2、驱动薄膜晶体管2和有机发光器件（OLED）3。开关薄膜晶体管2的栅极连接扫描线4，其漏极（或源极）连接数据线5，其源极（或漏极）连接驱动薄膜晶体管1的栅极。驱动薄膜晶体管1的源极（或漏极）连接电源线6，其漏极（或源极）连接OLED3的阳极，OLED3的阴极接地，在驱动薄膜晶体管1的源极（或漏极）与栅极之间连接有存储电容7。通常要求开关薄膜晶体管2具有低的S因子（亚阈值摆幅），使得电流随电压变化更大，而要求驱动薄膜晶体管1具有较高的S因子，使得电流随电压变化更小，这样可以保证开关薄膜晶体管2的开关性能更好，有利于灰阶的控制。在现有工艺中，将开关薄膜晶体管2和驱动薄膜晶体管1制成相同性能参数的薄膜晶体管，因此不利于有效的开启和闭合开关薄膜晶体管及灰阶的控制。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的OLED阵列基板存在的上述问题，提供一种开关薄膜晶体管比驱动薄膜晶体管的S因子低的OLED阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种OLED阵列基板，其包括：开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管的S因子小于驱动薄膜晶体管的S因子。

优选的是，所述开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管均包括有源区、栅极，以及将有源区和栅极绝缘隔开的栅极绝缘层，所述驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度为第一厚度，所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度为第二厚度，且第一厚度大于第二厚度。

优选的是，所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度在600～800nm之间；

所述驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度在800～2000nm之间。

优选的是，所述开关薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管；

所述驱动薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种OLED阵列基板的制备方法，包括：

通过构图工艺，在基底上同时形成包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管有源区的图形；

在完成上述步骤的基底上，形成包括第一厚度的驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层和第二厚度的开关薄膜晶体管的栅极绝缘层，且第一厚度大于第二厚度

在完成上述步骤的基底上，通过构图工艺形成包括开关薄膜晶体管栅极和驱动薄膜晶体管栅极的图形。