[发明专利]闪存的制作方法

权利要求书

1.一种闪存的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步骤S1，提供半导体基底(100)，所述半导体基底(100)划分为逻辑电路区(Ⅰ)、高压电路区(Ⅱ)和快闪存储区(Ⅲ)；

步骤S2，在所述半导体基底(100)上依次沉积衬垫氧化层(101)、氮化硅层(102)和缓冲氧化层(103)；

步骤S3，形成浅沟槽隔离并去除所述氮化硅层(102)和缓冲氧化层(103)，在半导体基底(100)上形成浅沟槽隔离结构(105)；

步骤S4，在所述快闪存储区(Ⅲ)和所述高压电路区(Ⅱ)形成N阱区；

步骤S5，在所述高压电路区(Ⅱ)形成P阱区；

步骤S6，对所述快闪存储区(Ⅲ)欲设置控制栅极的第一位置以及欲设置选择栅极的第二位置进行离子注入；

步骤S7，在所述快闪存储区(Ⅲ)形成浮栅(109)、在所述第一位置上形成控制栅极、在所述第二位置上形成选择栅极；以及

步骤S8，形成所述逻辑电路区(Ⅰ)的晶体管结构和所述高压电路区(Ⅱ)的晶体管结构。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中，对所述快闪存储区(Ⅲ)的第一位置进行离子注入的过程包括：

步骤S61，在完成所述步骤S5的半导体基底(100)上形成图案化的第三光阻层，所述第三光阻层(113)具有对应所述第一位置的开口；

步骤S62，对所述第一位置进行第一离子注入；

步骤S63，去除所述第三光阻层(113)和所述衬垫氧化层(101)；

步骤S64，在所述半导体基底(100)上生长高压氧化层(106)；

步骤S65，在所述高压氧化层(106)和所述浅沟槽隔离结构(105)上形成图案化的第四光阻层(114)，所述第四光阻层(114)具有对应所述第一位置的开口；

步骤S66，对所述第一位置进行第二次离子注入；

步骤S67，刻蚀去除所述快闪存储区(Ⅲ)的所述高压氧化层(106)；

步骤S68，去除所述第四光阻层(114)。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，

所述步骤S62对所述第一位置进行第一次离子注入时，所述离子注入所使用的离子为P和As，所述P的能量为50～60keV，所述P的剂量为8E12～1E13离子/cm2，所述As的能量为45～55keV，所述As的剂量为4E12～6E12离子/cm2；

所述步骤S66对所述第一位置进行第二次离子注入时，所述离子注入所使用的离子为P和As，所述P的能量为60～140keV，所述P的剂量为5E11～2E12离子/cm2，所述As的能量160～180keV，所述As的剂量为3E12～5E12离子/cm2。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S64中所述高压氧化层(106)的生长方法为快速加热氧化工艺或高温炉管生长工艺。

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S63在刻蚀去除所述衬垫氧化层之前还包括：对所述半导体基体的表面进行退火处理。

6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S66中，对所述第一位置进行第二次离子注入的同时对所述快闪存储区(Ⅲ)的第二位置进行离子注入。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，对所述快闪存储区(Ⅲ)的第二位置进行离子注入所使用的离子为P和As、所述P的能量为60～140keV，所述P的剂量为5E11～2E12离子/cm2，所述As的能量160～180keV，所述As的剂量为3E12～5E12离子/cm2。