[发明专利]闪存的制作方法

说明书

本申请提供了一种闪存的制作方法。该制作方法包括：提供半导体基底，半导体基底划分为逻辑电路区、高压电路区和快闪存储区；在半导体基底上依次沉积衬垫氧化层、氮化硅层和缓冲氧化层；形成浅沟槽隔离并去除氮化硅层和缓冲氧化层，在半导体基底上形成浅沟槽隔离结构；在快闪存储区和高压电路区形成N阱区；在高压电路区形成P阱区；对快闪存储区欲设置控制栅极的第一位置以及欲设置选择栅极的第二位置进行离子注入；在快闪存储区形成浮栅、在第一位置上形成选择栅极、在第二位置上形成控制栅极；以及形成逻辑电路区的晶体管结构和高压电路区的晶体管结构。解决了现有工艺难以满足小尺寸闪存器件制作需要的问题。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种闪存的制作方法。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑电路、存储器和模拟电路，其中存储器在集成电路产品中占了相当大的比例，而且近年来快闪存储器（又称闪存）已经成为非挥发性存储器的主流，根据结构不同，闪存可分为或非闪存（NOR Flash）和与非闪存（NAND Flash），其中，或非闪存因为读取速度快而适合手机或主板等需要记录系统编码的应用。

目前，闪存的制作工艺在行业内还没有统一，各企业会根据功能要求设计不同闪存结构、并制定不同的制作工艺流程，其中，一种同时集成有逻辑区、存储区和高压电路区的快闪存储器的制作方法大致包括：

提供衬底，在衬底上形成低压栅极结构、高压栅极结构和存储栅极结构，并在高压栅极结构的周围形成内侧墙、在存储栅极结构的周围形成内侧墙，低压栅极结构为单层栅极结构，高压栅极结构和存储栅极结构为双层栅极结构；

然后，形成ONO介质层，具体为：形成氧化层，覆盖所述衬底、低压栅极结构、高压栅极结构、存储栅极结构以及内侧墙、内侧墙，在氧化层上形成氮化硅层，在氮化硅层上形成氧化硅层；

然后，对ONO介质层进行刻蚀，在低压栅极结构周围形成侧墙，在高压栅极结构的周围形成外侧墙，在存储栅极结构的周围形成外侧墙，内侧墙和外侧墙构成了高压栅极结构的侧墙，内侧墙和外侧墙构成了存储栅极结构的侧墙；

形成低压栅极结构、高压栅极结构和存储栅极结构的侧墙之后，可以对衬底进行离子注入形成低压晶体管的源极和漏极、高压晶体管的源极和漏极、存储晶体管的源极和漏极；

接着，形成层间介质层，覆盖衬底以及其上形成的结构；

然后，可以在层间介质层中形成接触插栓，接触插栓与低压晶体管的源极、漏极和栅极、高压晶体管的源极、漏极和栅极、存储晶体管的源极、漏极和栅极电连接。

由此可见，采用上述制作方法制作的闪存器件虽然集成度较高，但是，在制作小尺寸闪存器件时，难以灵活调整闪存器件各功能组件的性能参数，进而难以满足小尺寸闪存器件的性能要求，尤其在55nm或以下闪存的制作中这一问题尤为突出。

发明内容

本申请旨在提供一种闪存的制作方法，以解决现有闪存制作工艺难以满足小尺寸闪存器件制作需要的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种闪存的制作方法，制作方法包括：步骤S1，提供半导体基底，半导体基底划分为快闪存储区、高压电路区和逻辑电路区；步骤S2，在半导体基底上依次沉积衬垫氧化层、氮化硅层和缓冲氧化层；步骤S3，形成浅沟槽隔离并去除氮化硅层和缓冲氧化层，在半导体基底上形成浅沟槽隔离结构；步骤S4，在快闪存储区和高压电路区形成N阱区；步骤S5，在高压电路区形成P阱区；步骤S6，对快闪存储区欲设置控制栅极的第一位置以及欲设置选择栅极的第二位置进行离子注入；步骤S7，在快闪存储区形成浮栅、在第一位置上形成选择栅极、在第二位置上形成控制栅极；以及步骤S8，形成逻辑电路区的晶体管结构和高压电路区的晶体管结构。