[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底以及设置在衬底上的薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、有源区，所述的源极、漏极分别与有源区相连，所述的源极连接数据线，其特征在于，所述的漏极沿数据线所在方向与栅极同层设置，所述源极和所述漏极位于不同层，且二者位于所述有源区的同一侧；其中，所述源极和所述漏极分别通过相应的过孔与所述有源区连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极与栅极间的连线平行于数据线。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述的衬底上设有缓冲层，在所述的缓冲层上设有有源区，在所述的有源区上设有栅极绝缘层，在所述的栅极绝缘层上设有栅极；在所述的栅极上设有绝缘层，在所述的绝缘层上设有平坦化层，在所述的平坦化层上设有板状电极，在所述的板状电极上设有钝化层，在所述的钝化层上设有狭缝电极。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述的板状电极为像素电极，所述的狭缝电极为公共电极。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述的像素电极通过平坦化层中的过孔与漏极连接。

6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述板状电极为公共电极，所述的狭缝电极为像素电极。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括与公共电极同层设置的连接部，所述的连接部通过设置在绝缘层和平坦化层中的过孔与漏极连接；

所述的像素电极通过钝化层中的过孔与连接部连接。

8.如权利要求1-7中任一所述的阵列基板，其特征在于，在所述的衬底上还设有与所述有源区相对应的遮光层。

9.一种如权利要求1-7中任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括经构图工艺同时形成漏极和栅极的步骤。

10.如权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在经构图工艺同时形成漏极和栅极的步骤之前还包括通过构图工艺依次形成遮光层、缓冲层、有源区、栅极绝缘层的步骤。

11.如权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在经构图工艺同时形成漏极和栅极的步骤之后还包括通过构图工艺依次形成绝缘层、源极、平坦化层、连接部和公共电极、钝化层、像素电极的步骤。

12.如权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在经构图工艺同时形成漏极和栅极的步骤之后还包括通过构图工艺依次形成绝缘层、源极、平坦化层、像素电极、钝化层、公共电极的步骤。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一所述阵列基板。