[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置中由于像素尺寸的减少无法在相邻数据线之间同层制作漏极的问题。本发明的薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置采用了将漏极与栅极同层设置，克服了在数据线垂直方向上由于曝光分辨率不足无法与数据线同层制作漏极的现象。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD）技术的发展，高像素分辨率的显示技术逐渐成为主流，但随着像素分辨率的不断提高，像素尺寸的不断减小，利用现有的薄膜晶体管（TFT）设计存在一个共同的问题是，布线时用来传导像素电压的漏极空间越来越小，直至在现有TFT设计情况下，无法利用漏极来传导像素电压。

如图1所示，现有技术的高级超维场转换模式阵列基板中，每个像素中具有一板状电极，板状电极上设有绝缘层，绝缘层上设有狭缝电极，其中此处以狭缝电极是像素电极3而板状电极是公共电极4作为例子（当然，若狭缝电极是公共电极而板状电极是像素电极也是可行的）；其中，薄膜晶体管的漏极7设置在相邻像素单元的数据线2之间，漏极7与数据线2的之间的距离为D1。

同时，如图2所示，为了简化制备工艺，故源极6和漏极7与数据线2同层设置（即在一次构图工艺中通过同一材料层形成），并且源极6与数据线2连接，数据信号依次经源极6，有源区5，漏极7，过孔8，过孔9传至像素电极3，由于图2为剖面图，像素电极3没有完全剖出。

如图3所示，狭缝电极为像素电极3设置于钝化层15上，过孔9中填充的材料与像素电极3相同，并同时形成；

板状电极为公共电极4设置于平坦化层14上，过孔8中的填充材料与公共电极4相同，并同时形成。

由于像素尺寸的减小，制作时相邻数据线2之间的横向（与数据线垂直方向）曝光分辨率已经无法支持同层制作漏极7。换句话说，D1已经受限于现有技术的数据线2制程的曝光分辨率。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术中现有的阵列基板、显示装置中由于像素尺寸的减少无法在相邻数据线之间同层制作漏极的问题，提供一种能够在相邻数据线之间设置漏极的薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置。

本发明的一个目的是提供一种薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极、有源区，所述的源极、漏极分别与有源区相连，所述的漏极与栅极同层设置。

本发明的另一个目的是提供一种阵列基板，包括衬底以及设置在衬底上的薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、有源区，所述的源极、漏极分别与有源区相连，所述的源极连接数据线，其特征在于，所述的漏极与栅极同层设置。

优选的是，所述漏极与栅极间的连线平行于数据线。

优选的是，在所述的衬底上设有缓冲层，在所述的缓冲层上设有有源层，在所述的有源层上设有栅极绝缘层，在所述的栅极绝缘层上设有栅极；在所述的栅极上设有绝缘层，在所述的绝缘层上设有平坦化层，在所述的平坦化层上设有板状电极，在所述的板状电极上设有钝化层，在所述的钝化层上设有狭缝电极。

优选的是，所述的板状电极为像素电极，所述的狭缝电极为公共电极。

进一步优选的是，所述的像素电极通过平坦化层中的过孔与漏极连接。

优选的是，所述板状电极为公共电极，所述的狭缝电极为像素电极。

进一步优选的是，还包括与公共电极同层设置的连接层，所述的连接层通过设置在绝缘层和平坦化层中的过孔与漏极连接；

所述的像素电极通过钝化层中的过孔与连接层连接。