[发明专利]任意阶电平发生器在审
| 申请号： | 201310689269.0 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103675372A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 顾春华;刘远华;王锦;祁建华 | 申请（专利权）人： | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/28 | 分类号： | G01R1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 任意 电平 发生器 | ||
【权利要求书】：
1.一种任意阶电平发生器，其特征在于，包括：一选择电路及与所述选择电路连接的多个MOS管，其中，每个MOS管的栅极与所述选择电路连接，每个MOS管的源极或者漏极与一电平连接。
2.如权利要求1所述的任意阶电平发生器，其特征在于，所述选择电路通过向栅极提供电平以选中相应的MOS管。
3.如权利要求2所述的任意阶电平发生器，其特征在于，所述选择电路提供的电平为3.5V～5V。
4.如权利要求1所述的任意阶电平发生器，其特征在于，所述选择电路为脉冲发生器。
5.如权利要求1所述的任意阶电平发生器，其特征在于，
当MOS管的源极与一电平连接时，该MOS管的漏极向被测器件提供电压；
当MOS管的漏极与一电平连接时，该MOS管的源极向被测器件提供电压。
6.如权利要求1所述的任意阶电平发生器，其特征在于，所述MOS管的数量为两个、三个或者四个。
7.如权利要求1～6中任一项所述的任意阶电平发生器，其特征在于，每个MOS管的源极或者漏极连接的电平值互不相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华岭集成电路技术股份有限公司，未经上海华岭集成电路技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310689269.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可灵活配置互感器的电表
- 下一篇：面板测试用玻璃碰撞型探头块结构
