[发明专利]任意阶电平发生器

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造设备技术领域，特别涉及一种任意阶电平发生器。

背景技术

由于日益复杂的集成电路、材料和工艺的迅速引入，在今天的硅片制造中几乎不可能每个芯片都符合规格要求。为纠正制作过程中的问题，并确保有缺陷的芯片不会被送到客户手里，在集成电路制造过程中引入了芯片测试（CP，Circuit Probing）。芯片测试是为了检验规格的一致性而在硅片级集成电路上进行的电学参数测量和功能测试。测试可以检验出各芯片是否具有可接受的电学性能和完整的功能，其测试过程中使用的电学规格随测试目的的不同而有所不同。如果芯片测试不完善，就可能造成更多的产品在客户使用过程中失效，最终给芯片制造者带来严重的后果。为此在集成电路的制造过程中引入能够及早发现工艺问题和将不良的芯片挑选出来的芯片测试是必不可少的。

芯片测试系统通常包括：测试机（Automatic Test Equipment，ATE）、探针卡（Probe Card）及探针台（Prober），其中，测试机是能够在被测器件上快速、准确、重复地测量亚微安级电流和毫伏级电压的自动装置；探针卡是测试机与被测器件之间的连接装置；探针台也称为芯片定位装置，可以在X、Y和Z方向调整被测器件的位置。测试时，测试机经由探针卡将电流或电压信号输入到探针台上的被测器件（DUT，Device Under Test）内，然后再将该被测器件对于输入信号的相应结果返回到测试仪。

通常的，测试机只能输出两阶电压，其输出的电压范围一般为-1V到7V。但是，在芯片测试过程中，有时会需要更多阶电压，例如三阶、四阶等；或者有时需要的两阶电压与测试机所能提供的电压不同。因此，如何提供多于两阶的电压，或者提供其它电压值的两阶电压成了本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种任意阶电平发生器，以解决现有的测试机只能输出两阶电压，并且其输出的电压范围一般为-1V到7V，但是，在芯片测试过程中，有时会需要更多阶电压，例如三阶、四阶等；或者有时需要的两阶电压值与测试机所能提供的两阶电压值不同的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种任意阶电平发生器，所述任意阶电平发生器包括：一选择电路及与所述选择电路连接的多个MOS管，其中，每个MOS管的栅极与所述选择电路连接，每个MOS管的源极或者漏极与一电平连接。

可选的，在所述的任意阶电平发生器中，所述选择电路通过向栅极提供电平以选中相应的MOS管。

可选的，在所述的任意阶电平发生器中，所述选择电路提供的电平为3.5V～5V。

可选的，在所述的任意阶电平发生器中，所述选择电路为脉冲发生器。

可选的，在所述的任意阶电平发生器中，

当MOS管的源极与一电平连接时，该MOS管的漏极向被测器件提供电压；

当MOS管的漏极与一电平连接时，该MOS管的源极向被测器件提供电压。

可选的，在所述的任意阶电平发生器中，所述MOS管的数量为两个、三个或者四个。

可选的，在所述的任意阶电平发生器中，每个MOS管的源极或者漏极连接的电平值互不相同。

在本发明提供的任意阶电平发生器中，通过多个MOS管并且每个MOS管的源极或者漏极与一电平连接，提供更多阶电平（例如三阶或者四阶等）或者提供不同于测试机所能提供的两阶电平。

附图说明

图1是本发明实施例一的任意阶电平发生器的框结构示意图；

图2是本发明实施例二的任意阶电平发生器的框结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的任意阶电平发生器作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

【实施例一】

请参考图1，其为本发明实施例一的任意阶电平发生器的框结构示意图。如图1所示，所述任意阶电平发生器包括：选择电路10及与所述选择电路10连接的两个MOS管，分别为MOS管11a及MOS管11b，其中，每个MOS管的栅极与所述选择电路10连接，每个MOS管的源极或者漏极与一电平连接。