[发明专利]一种光学临近修正的方法在审
申请号: | 201310695777.X | 申请日: | 2013-12-17 |
公开(公告)号: | CN104714362A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 王铁柱 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 临近 修正 方法 | ||
1.一种光学临近修正的方法,包括:
步骤(a)根据目标版图,制备初始OPC模型;
步骤(b)选用所述初始OPC模型进行常规模拟和检查步骤,以及选用所述OPC模型进行工艺窗口OPC模拟和检查步骤;
步骤(c)查找缺陷点,若没有缺陷点则将所述初始OPC模型作为最终OPC模型,执行步骤(d),
若查找到缺陷点则对所述缺陷点进行自动修正,然后对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟,并进行检查,至没有缺陷点为止,并输出最终OPC模型;
步骤(d)根据所述最终OPC模型,制备光刻掩膜板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(a)进一步包括以下步骤:
步骤(a-1)收集提供的版图图案的数据;
步骤(a-2)根据步骤(a-1)中所述数据以及所述目标版图的设计规则进行逻辑运算;
步骤(a-3)根据所述逻辑运算结果,输出OPC模型;
步骤(a-4)对所述OPC模型进行OPC修正,以得到所述初始OPC模型。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述工艺窗口OPC模拟是在考虑实际生产工艺的影响因素之后进行的模拟。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(c)中,在自动修正之后,在对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟之前,还包含对修正后的缺陷点进行常规模拟的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(c)进一步包含以下步骤:
步骤(c-1)在查找到缺陷点后,根据缺陷点自动修正规则对所述缺陷点进行自动修正;
步骤(c-2)将修正后的所述缺陷点进行工艺窗口OPC模拟;
步骤(c-3)进一步查找缺陷点,若没有查找到缺陷点,则输出该模型,以作为最终OPC模型,执行步骤(d);若仍查找到缺陷点,则重复执行步骤(c-1)和步骤(c-2)至没有缺陷点为止。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述步骤(c-3)中还进一步包含以下子步骤:
(c-3-1)若在步骤(c-2)中仍查找到缺陷点,则重复执行步骤(c-1)和步骤(c-2),重复自动修正后没有查找到缺陷点,则输出所述最终OPC模型;
(c-3-2)重复自动修正步骤后,仍然查找到缺陷点,则查看所述缺陷点是否在非核心区,若所述缺陷点在非核心区则对所述缺陷点的所述自动修正规则进行改进,然后继续执行步骤(c-1)和步骤(c-2),重复该步骤至缺陷点消失为止。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述自动修正规则通过所述目标版图设计规则进行制定。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(c)中还进一步包括以下步骤:
对所述缺陷点进行自动修正后,进一步重新检查其它位置是否产生新的缺陷点。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,若在其他部位产生新的缺陷点,则对所述新的缺陷点进行自动修正,至所述新的缺陷点消失为止。
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