[发明专利]一种光学临近修正的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种光学临近修正的方法。

背景技术

集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸（critical dimension，CD），随着关键尺寸的缩小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。

光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，在将图案转移到硅片的过程中会发生失真现象，如果不消除这种失真现象会导致整个制造技术的失败。为了避免出现上述问题，通常对所述掩膜版进行光学临近修正（Optical Proximity Correction,OPC），所述OPC方法即为对所述光刻掩膜版进行光刻前预处理，进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。

随着器件尺寸的不断缩小，光刻工艺窗口（Litho process window）缩小，导致所述蚀刻过程中焦点以及能量的变化（variation），从形成更多的缺陷点或者潜在的缺陷点（weak points），现有技术中光学临近修正的流程图如图1所示，首先执行光刻步骤，然后执行光学临近修正步骤，然后执行检查核实步骤，执行常规的以及工艺窗口的光学临近修正步骤，对所述光学临近修正进行核实，接着对缺陷点进行检测，若缺陷点的检测没有问题，则通过，进行掩膜板的制备，进行物理晶圆的实际生产，若所述缺陷点的检测出现问题，则需要返回到最初的步骤进行全部的检测，这样以来浪费了大量的时间，使整个OPC过程延长，效率降低。

因此，需要对目前的光学临近修正方法作进一步的改进，以便消除上述时间过于冗长的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种光学临近修正方法，包括：

步骤（a）根据目标版图，制备初始OPC模型；

步骤（b）选用所述初始OPC模型进行常规模拟和检查步骤，以及选用所述OPC模型进行工艺窗口OPC模拟和检查步骤；

步骤（c）查找缺陷点，若没有缺陷点则将所述初始OPC模型作为最终OPC模型，执行步骤（d），

若查找到缺陷点则对所述缺陷点进行自动修正，然后对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟，并进行检查，至没有缺陷点为止，并输出最终OPC模型；

步骤（d）根据所述最终OPC模型，制备光刻掩膜板。

作为优选，所述步骤（a）进一步包括以下步骤：

步骤（a-1）收集提供的版图图案的数据；

步骤（a-2）根据步骤（a-1）中所述数据以及所述目标版图的设计规则进行逻辑运算；

步骤（a-3）根据所述逻辑运算结果，输出OPC模型；

步骤（a-4）对所述OPC模型进行OPC修正，以得到所述初始OPC模型。

作为优选，所述步骤（b）中常规模拟是指不考虑外界不良干扰，例如不考虑在实际生产工艺中各种误差因素以及实际生产中各变量的影响，在设定的最佳条件下进行模拟。

作为优选，所述工艺窗口OPC模拟是在考虑实际生产工艺的影响因素之后进行的模拟。

作为优选，所述步骤（c）中，在自动修正之后，在对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟之前，还包含对修正后的缺陷点进行常规模拟的步骤。

作为优选，所述步骤（c）进一步包含以下步骤：

步骤（c-1）在查找到缺陷点后，根据缺陷点自动修正规则对所述缺陷点进行自动修正；

步骤（c-2）将修正后的所述缺陷点进行工艺窗口OPC模拟；

步骤（c-3）进一步查找缺陷点，若没有查找到缺陷点，则输出该模型，以作为最终OPC模型，执行步骤（d）；若仍查找到缺陷点，则重复执行步骤（c-1）和步骤（c-2）至没有缺陷点为止。

作为优选，所述步骤（c-3）中还进一步包含以下子步骤：