[发明专利]波长可变干涉滤波器、及其制造方法、光模块及电子设备

权利要求书

1.一种波长可变干涉滤波器，其特征在于，

具备：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对配置；

第一反射膜，设置在所述第一基板上；以及

第二反射膜，设置在所述第二基板上，与所述第一反射膜相对，所述第二基板具备可动部和在从基板厚度方向观察所述第二基板的俯视观察中设置在所述可动部的外侧的槽，

所述槽具有底面和与所述底面连续的侧面，

所述侧面在沿着基板厚度方向截断所述第二基板的截面观察中由多个曲面部构成。

2.根据权利要求1所述的波长可变干涉滤波器，其特征在于，

在所述截面观察中，多个所述曲面部的圆弧中心点位于从所述底面与所述侧面的交界起沿着所述第二基板的基板厚度方向的虚拟直线上。

3.一种波长可变干涉滤波器的制造方法，其特征在于，

具有：

第一基板形成工序，形成第一基板，在所述第一基板上设置使光的一部分反射一部分透过的第一反射膜；

第二基板形成工序，形成第二基板；

第二反射膜形成工序，在设定于所述第二基板的可动部形成区域，形成使光的一部分反射一部分透过的第二反射膜；以及

接合工序，以使所述第一反射膜和所述第二反射膜相对的方式接合所述第一基板和所述第二基板，

所述第二基板形成工序包括槽形成工序，所述槽形成工序在从基板厚度方向观察所述第二基板的俯视观察中的所述可动部形成区域的外侧形成具有底面以及与所述底面连续的侧面的槽，

所述槽形成工序具有：

第一掩膜形成工序，在所述第二基板的表面上形成第一掩膜，所述第一掩膜的与所述底面对应的区域开口；

第一蚀刻工序，利用所述第一掩膜对所述第二基板进行湿式蚀刻而形成第一槽；

第二掩膜形成工序，在除去所述第一掩膜之后，在所述第二基板的表面上形成第二掩膜，所述第二掩膜的与所述底面对应的区域开口；以及

第二蚀刻工序，利用所述第二掩膜对所述第二基板进行湿式蚀刻而形成第二槽，

所述侧面在沿着基板厚度方向截断所述第二基板的截面观察中由多个曲面部构成。

4.根据权利要求3所述的波长可变干涉滤波器的制造方法，其特征在于，

所述第二掩膜形成工序具有：在形成有所述第一槽的所述第二基板的表面上，形成覆盖构成所述第一槽的侧面和底面的掩膜部件的工序；

在形成有所述掩膜部件的所述第二基板的表面上，形成覆盖所述掩膜部件的以电镀抗蚀剂为材料的抗蚀剂的工序；

将形成的所述抗蚀剂图案化的工序；以及

将图案化的所述抗蚀剂作为掩膜、对所述掩膜部件进行蚀刻从而形成所述第二掩膜的工序。

5.根据权利要求4所述的波长可变干涉滤波器的制造方法，其特征在于，

所述抗蚀剂是正性抗蚀剂。

6.一种滤光器设备，其特征在于，

具备：波长可变干涉滤波器以及壳体，所述波长可变干涉滤波器具备：第一基板；与所述第一基板相对配置的第二基板；设置在所述第一基板上、使入射光的一部分反射一部分透过的第一反射膜；以及设置在所述第二基板上、与所述第一反射膜相对、使入射光的一部分反射一部分透过的第二反射膜，

所述壳体收容所述波长可变干涉滤波器，

所述第二基板具有可动部、以及在从基板厚度方向观察所述第二基板的俯视观察中设置在所述可动部外侧的槽，

所述槽具有底面和与所述底面连续的侧面，

所述侧面在沿着基板厚度方向截断所述第二基板的截面观察中由多个曲面部构成。

7.一种光模块，其特征在于，

具备：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对配置；

第一反射膜，设置在所述第一基板上，使入射光的一部分反射一部分透过；

第二反射膜，设置在所述第二基板上，与所述第一反射膜相对，使入射光的一部分反射一部分透过；以及

检测部，对射入所述第一反射膜与所述第二反射膜之间的光发生干涉而选择的波长的光进行检测，

所述第二基板具备可动部、以及在从基板厚度方向观察所述第二基板的俯视观察中设置在所述可动部外侧的槽，

所述槽具有底面和与所述底面连续的侧面，

所述侧面在沿着基板厚度方向截断所述第二基板的截面观察中由多个曲面部构成。

8.一种电子设备，其特征在于，

具备：波长可变干涉滤波器以及控制部，所述波长可变干涉滤波器具备第一基板；与所述第一基板相对配置的第二基板；设置在所述第一基板上、使入射光的一部分反射一部分透过的第一反射膜；以及设置在所述第二基板上、与所述第一反射膜相对、使入射光的一部分反射一部分透过的第二反射膜，

所述控制部控制所述波长可变干涉滤波器，

所述第二基板具备可动部、以及在从基板厚度方向观察所述第二基板的俯视观察中设置在所述可动部外侧的槽，

所述槽具有底面和与所述底面连续的侧面，

所述侧面在沿着基板厚度方向截断所述第二基板的截面观察中由多个曲面部构成。