[发明专利]波长可变干涉滤波器、及其制造方法、光模块及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及波长可变干涉滤波器、波长可变干涉滤波器的制造方法、滤光器设备、光模块以及电子设备。

背景技术

目前，已知有在一对基板彼此相对的面上分别相对配置反射膜的波长可变干涉滤波器（例如参考专利文献1）。

专利文献1所述的波长可变干涉滤波器是使下部基板和上部基板接合后的波长可变干涉滤波器，在下部基板的与上部基板相对的面上设置下部反射镜，在上部基板的与下部基板相对的面上设置与下部反射镜相对的上部反射镜。

另外，在上部基板上，在俯视图中包围上部反射镜的区域设置隔膜，通过该隔膜在上下方向位移，使下部反射镜与上部反射镜之间的距离发生变化。

此处，通过对上部基板上进行湿式刻蚀形成槽来获得隔膜。

但是，以可见光区域的光为对象的波长可变干涉滤波器一般使用可以透过可见光区域的光的玻璃作为下部基板和上部基板。在这种玻璃制的上部基板上进行湿式蚀刻形成隔膜的情况下，如图17所示，使用具有与隔膜的形状相对应的开口的掩膜M9。这种情况下，通过各向同性蚀刻，蚀刻不仅向深度方向，而且从掩膜开口端M91向横向发展，从隔膜的槽底面926B到上部基板92的上表面（形成掩膜的面），以掩膜开口端M91为中心形成由圆弧形的曲面构成的侧面926A。因此存在如下课题：波长可变干涉滤波器的尺寸增大比该掩膜M9的开口更向横向扩展的侧面926A的区域D9的大小。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2011-197386号公报

发明内容

本发明的目的在于提供可小型化的波长可变干涉滤波器、波长可变干涉滤波器的制造方法、滤光器设备、光模块以及电子设备。

本发明的波长可变干涉滤波器，其特征在于，具备：第一基板；第二基板，与上述第一基板相对配置；第一反射膜，设置在上述第一基板上，使入射光的一部分反射一部分透过；以及第二反射膜，设置在上述第二基板上，与上述第一反射膜相对，使入射光的一部分反射一部分透过，上述第二基板具有可动部以及在从基板厚度方向观察上述第二基板的俯视观察中设置在上述可动部外侧的槽，上述槽具有槽的深度尺寸相同的底面和与上述底面连续的侧面，在沿着基板厚度方向截断上述第二基板的截面观察中，上述侧面由多个圆弧形的曲面部构成。

在本发明中，设置在第二基板上的槽具有槽的深度尺寸相同的底面和与底面连续的侧面，侧面在沿着基板厚度方向截断第二基板的截面观察中由多个圆弧形的曲面部构成。

根据该结构，与槽的侧面只由一个曲面部构成的结构相比，可以缩小俯视图中的槽的侧面区域。由此可以缩小槽的宽度，从而可以使波长可变干涉滤波器小型化。

在本发明的波长可变干涉滤波器中，在上述截面观察中，优选多个上述曲面部的圆弧中心点位于从上述底面与上述侧面的交界起沿着上述第二基板的基板厚度方向的虚拟直线上。

根据该结构，可以进一步缩小俯视图中的槽的侧面区域。

本发明的波长可变干涉滤波器的制造方法，其特征在于，包括：第一基板形成工序，形成第一基板，在该第一基板上设置使入射光的一部分反射一部分透过的第一反射膜；第二基板形成工序，形成第二基板；第二反射膜形成工序，在设定于上述第二基板的可动部形成区域，形成使入射光的一部分反射一部分透过的第二反射膜；以及接合工序，以使上述第一反射膜和上述第二反射膜相对的方式接合上述第一基板和上述第二基板，上述第二基板形成工序包括槽形成工序，所述槽形成工序在从基板厚度方向观察上述第二基板的俯视观察中，在上述可动部形成区域外侧形成具有槽的深度尺寸相同的底面以及与上述底面连续的侧面的槽，上述槽形成工序包括：第一掩膜形成工序，在上述第二基板的表面上形成第一掩膜，该第一掩膜的与上述底面对应的区域开口；第一蚀刻工序，利用上述第一掩膜对上述第二基板进行湿式蚀刻并形成第一槽；第二掩膜形成工序，在除去上述第一掩膜之后，在上述第二基板的表面上形成第二掩膜，该第二掩膜的与上述底面对应的区域开口；以及第二蚀刻工序，利用上述第二掩膜对上述第二基板进行湿式蚀刻并形成第二槽。

例如，通过使用第一掩膜的一次湿式蚀刻在第二基板上形成槽的情况下，与槽的深度尺寸大致相同尺寸的侧蚀刻正在进行。

与此相对，在本发明中，通过第一蚀刻工序和第二蚀刻工序形成槽。而且，第二掩膜的与槽的底面对应的区域形成开口，因此第二蚀刻工序中的侧蚀刻的起点位于从槽的底面与侧面的交界起沿着第二基板的基板厚度方向的虚拟直线上。

因此，与通过利用第一掩膜的一次湿式蚀刻形成相同深度尺寸的槽的情况相比，可以缩小侧蚀刻尺寸。