[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底具有第一区域，所述第一区域的衬底表面具有第一鳍部；

在所述衬底表面和第一鳍部的侧壁表面形成介质层，所述介质层的表面低于所述第一鳍部顶部；

对暴露出介质层的部分第一鳍部底部进行第一防损伤注入工艺，所述第一防损伤注入工艺能够防止对第一鳍部的离子注入损伤，在第一鳍部内形成第一防穿通层，所述第一防穿通层的位置与所述介质层表面相对应。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一防损伤注入工艺的温度为300摄氏度～400摄氏度。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当第一区域用于形成PMOS晶体管时，所述第一防损伤注入工艺注入的离子包括N型离子，所述N型离子包括磷离子，所述N型离子的掺杂浓度为1E12atom/cm³～5E15atom/cm³。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当第一区域用于形成PMOS晶体管时，所注入的离子还包括氟离子。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当第一区域用于形成NMOS晶体管时，所述第一防损伤注入工艺注入的离子包括P型离子，所述P型离子包括硼离子，所述P型离子的掺杂浓度为1E12atom/cm³～5E15atom/cm³。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当第一区域用于形成NMOS晶体管时，所注入的离子还包括碳离子。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：所述衬底具有第二区域，所述第二区域的衬底表面具有第二鳍部，所述第二鳍部和第一鳍部所形成的晶体管类型相反；所述介质层还位于所述第二鳍部的侧壁表面，所述介质层的表面低于第二鳍部表面；在形成第一防穿通层之后，对暴露出介质层的部分第二鳍部底部进行第二防损伤注入工艺，所述第二防损伤注入工艺能够防止对第二鳍部的离子注入损伤，在第二鳍部内形成第二防穿通层，所述第二防穿通层的位置与所述介质层表面相对应。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二防损伤注入工艺的温度为300摄氏度～400摄氏度。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当第二区域用于形成PMOS晶体管时，所述第二防损伤注入工艺注入的离子包括N型离子，所述N型离子包括磷离子，所述N型离子的掺杂浓度为1E12atom/cm³～5E15atom/cm³。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当第二区域用于形成PMOS晶体管时，所注入的离子还包括氟离子。

11.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当第二区域用于形成NMOS晶体管时，所述第二防损伤注入工艺注入的离子包括P型离子，所述P型离子包括硼离子，所述P型离子的掺杂浓度为1E12atom/cm³～5E15atom/cm³。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当第二区域用于形成NMOS晶体管时，所注入的离子还包括碳离子。

13.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一防损伤注入工艺和所述第二防损伤注入工艺之后，采用退火工艺激活第一防穿通层和第二防穿通层。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一防损伤注入工艺之后，采用退火工艺激活第一防穿通层。

15.如权利要求13或14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火工艺为快速热退火，退火温度为500℃～1000℃。

16.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的形成工艺包括：在衬底和第一鳍部表面形成介质膜；抛光所述介质膜并暴露出第一鳍部的顶部表面，形成介质层；回刻蚀所述介质层，使所述介质层的表面低于第一鳍部顶部。