[发明专利]具有被改造以用于背栅偏置的沟道芯部的场效应晶体管及制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

源极结构和漏极结构，形成于所述衬底上；

至少一个纳米线结构，互连所述源极结构和所述漏极结构，并且用作所述源极结构与所述漏极结构之间的沟道；以及

栅极结构，形成于所述至少一个纳米线结构之上，以提供对所述沟道中的载流子的传导率的控制，

其中所述至少一个纳米线结构中的每个纳米线结构包括用作用于所述沟道的背偏置电极的中心芯部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述中心芯部包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述中心芯部包括金属。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述金属包括钨(W)。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

绝缘材料的薄膜，具有分别位于所述源极结构、所述漏极结构、所述栅极结构和与所述中心芯部的接触之上的开口；以及

传导材料，分别填充所述开口并且分别接触所述源极结构、所述漏极结构、所述栅极结构和所述中心芯部，以用作去往所述半导体器件的电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述至少一个纳米线结构包括在所述源极结构和所述漏极结构之间互连的多个纳米线结构。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道包括Si、SiGe和Si/SiGe之一。