[发明专利]一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件

权利要求书

1.一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件，包括P型衬底（1）、位于P型衬底（1）上端面的绝缘层（2）和位于绝缘层（2）上端面的N型外延层（3），所述N型外延层（3）中设置有隔离区（13）将N型外延层（3）隔离为两个部分，所述隔离区（13）一侧的N型外延层（3）中设置有第一P型阱区（4）和N型阱区（6），所述第一P型阱区（4）中设置有相互独立的第一N型重掺杂区（21）和第一P型重掺杂区（31），所述N型阱区（6）中设置有第二P型重掺杂区（32），所述N型外延层（3）的上端面设置场氧化层（8）和第一薄氧化层（10），所述第一薄氧化层（10）与第一P型阱区（4）的上端面和场氧化层（8）连接，所述场氧化层（8）与N型阱区（6）的上端面连接，所述第一薄氧化层（10）的上端面设置有第一多晶硅栅（9），所述N型外延层（3）中设置有隔离区（13），其特征在于，所述隔离区（13）另一侧的N型外延层（3）中设置有相互独立的第二N型重掺杂区（22）和第三N型重掺杂区（23），在第二N型重掺杂区（22）和第三N型重掺杂区（23）之间的N型外延层（3）的上端面设置有第二薄氧化层（12），所述第二薄氧化层（12）上端面设置有第二多晶硅栅（11），所述第二N型重掺杂区（22）和第一P型重掺杂区（31）通过导线连接，所述第一多晶硅栅（9）与第一N型重掺杂区（21）和第三N型重掺杂区（23）连接。

2.根据权利要求1所述的一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件，其特征在于，所述N型外延层（3）还设置有第三P型重掺杂区（7），所述第一N型重掺杂区（21）和第一P型重掺杂区（31）位于第三P型重掺杂区（7）中，所述第三P型重掺杂区（7）的掺杂深度大于第一P型阱区（4）。

3.根据权利要求1或2所述的一种具有ESD保护功能的强抗闩锁可控LIGBT器件，其特征在于，所述N型外延层（3）还设置有第二P型阱区（5），所述第二N型重掺杂区（22）和第三N型重掺杂区（23）位于第二P型阱区（5）中。