[发明专利]高密度封装电子组件发射率检测方法

权利要求书

1.一种高密度封装电子组件发射率检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

将腔体封帽打开的电子组件置于控温箱体内，其中，所述电子组件中的被测元器件通过所述打开的腔体封帽暴露；保持所述电子组件为非工作状态；对控温箱体进行温度控制，使所述电子组件温度稳定于预设值；

根据所述电子组件中各个被测元器件的材料特性，选择相应的电子材料反射测试板，并置于所述电子组件的表面；利用红外探头对准所述控温箱体上的红外窗口，对所述电子材料反射测试板进行聚焦；对所述电子材料反射测试板进行温度探测，获取各个被测元器件的反射表观温度；

将获取的各个被测元器件的反射表观温度，作为对各个被测元器件的环境反射温度补偿；

设置所述环境反射温度补偿之后，移开所述电子材料反射测试板；分别调整各个被测元器件的发射率，探测所述各个被测元器件的温度；

当探测到的各个被测元器件的温度等于所述预设值时，停止所述调整，并将当前各个被测元器件发射率的调整值作为各个被测元器件发射率的检测值。

2.根据权利要求1所述的高密度封装电子组件发射率检测方法，其特征在于，在所述对控温箱体进行温度控制，使所述电子组件温度稳定于预设值的步骤中，所述预设值为50℃～125℃的一个温度值。

3.根据权利要求1所述的高密度封装电子组件发射率检测方法，其特征在于，所述选择相应的电子材料反射测试板的步骤，包括以下步骤：

根据所述电子组件中各个被测元器件的材料特性，分别选择6种电子材料反射测试板，并置于所述电子组件的表面；其中，6种电子材料反射测试板包括Si大园片、PCB覆铜板、Al₂O₃导带基片、表面氧化的Cu板、表面光滑的Al板、皱锡箔/皱铝箔。

4.根据权利要求1所述的高密度封装电子组件发射率检测方法，其特征在于，所述对所述电子材料反射测试板进行温度探测的步骤，包括以下步骤：

将探测系统发射率参数设置为1，调整热像仪的大气温度、湿度和红外窗口透射率，分别对测试板进行温度探测，对应获取各个被测元器件的反射表观温度。

5.根据权利要求1所述的高密度封装电子组件发射率检测方法，其特征在于，所述将获取的各个被测元器件的反射表观温度，作为对各个被测元器件的环境反射温度补偿的步骤，包括以下步骤：

将获取的各个被测元器件的反射表观温度，分别输入热像仪作为反射温度设置参数，作为对各个被测元器件的环境反射温度补偿。

6.根据权利要求1所述的高密度封装电子组件发射率检测方法，其特征在于，所述控温箱体具有如下结构特征：外壁为电气镀锌钢板，内壁为镜面不锈钢板，内外壁之间填充聚玻璃棉构成隔热层的箱壁。

7.根据权利要求1所述的高密度封装电子组件发射率检测方法，其特征在于，所述控温箱体具有如下结构特征：内部上侧为试验品放置空间，内部下侧为空气调节通道。

8.根据权利要求1所述的高密度封装电子组件发射率检测方法，其特征在于，所述控温箱体具有如下结构特征：所述控温箱体的箱门具有红外玻璃探测窗口，用于电子组件发射率检测。

9.根据权利要求8所述的高密度封装电子组件发射率检测方法，其特征在于，所述红外玻璃探测窗口的直径为10mm。

10.根据权利要求1所述的高密度封装电子组件发射率检测方法，其特征在于，所述控温箱体的内壁设计成40°～50°可调。