[发明专利]高密度封装电子组件发射率检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子组件发射率检测技术领域，尤其涉及一种高密度封装电子组件发射率检测方法。

背景技术

高密度封装电子组件发射率是指组件内部元器件表面的红外发射率（发射率e＝0～1.0），修正电子组件发射率的目的是为了配合红外热像法准确探测高密度封装电子组件内部元器件工作温度，进而支撑其热性能评价和可靠性评价。因此采用红外热像法探测电子组件红外辐射能计算温度时，必须获得其真实发射率e。如何准确测量高密度封装电子组件内部高密度集成元器件的发射率，满足高分辨率的温度测量要求，是准确探测高密度封装电子组件工作温度的关键所在。

目前给出的发射率测量方法和修正测量影响因素的方法，主要是针对单一均匀的固体、液体和气体的发射率测量，并且需要配套使用黑体作为标准信号源对比，或者使用热电偶直接测量被测物体获取实际温度，这些方法都不适用于由各种材料和元器件组成的电子组件发射率检测。在GJB标准中，所给出的发射率确定方法，是采用喷涂近似黑体的涂料（约e＝0.98），以保证电子器件表面发射率统一，对电子组件而言，采用喷涂方法，除污染样品外还会导致后续失效定位的困难；而JEDEC标准中，所给出的热传导控温检测发射率方法，对不规则封装形式的电子组件无法实现。因此，对由多种材料和各种元器件高密度组装而成的高密度封装电子组件，由于其封装结构复杂、测量温度精度要求高，如何有效便捷地检测其发射率、实现温度准确测量，成为一个难题。目前的常见做法不适用于由各种材料和各种元器件高密度组装及高密度封装的电子组件。

发明内容

基于此，本发明提供了一种高密度封装电子组件发射率检测方法。

一种高密度封装电子组件发射率检测方法，包括以下步骤：

将腔体封帽打开的电子组件置于控温箱体内，其中，所述电子组件中的被测元器件通过所述打开的腔体封帽暴露；保持所述电子组件为非工作状态；对控温箱体进行温度控制，使所述电子组件温度稳定于预设值；

根据所述电子组件中各个被测元器件的材料特性，选择相应的电子材料反射测试板，并置于所述电子组件的表面；利用红外探头对准所述控温箱体上的红外窗口，对所述电子材料反射测试板进行聚焦；对所述电子材料反射测试板进行温度探测，获取各个被测元器件的反射表观温度；

将获取的各个被测元器件的反射表观温度，作为对各个被测元器件的环境反射温度补偿；

设置所述环境反射温度补偿之后，移开所述电子材料反射测试板；分别调整各个被测元器件的发射率，探测所述各个被测元器件的温度；

当探测到的各个被测元器件的温度等于所述预设值时，停止所述调整，并将当前各个被测元器件发射率的调整值作为各个被测元器件发射率的检测值。

与一般技术相比，本发明电子组件发射率检测方法给出了一种用于基于空气热对流控温技术和多点环境反射温度补偿的电子组件发射率检测方法，通过采用高精度空气热对流控温技术，对高密度组装和复杂封装结构电子组件在非工作状态下进行整体温度控制，实现被测电子组件温度以非接触方式可控可知。在此基础上，采用红外热像探测方式和反射温度补偿控制技术，对电子组件内部各个被测元器件的表观温度和实际温度进行有效探测，通过被测元器件反射温度补偿，实现所有被测元器件发射率的检测和修正，解决高密度组装和复杂封装结构的电子组件发射率检测难题。本发明方法适用产品范围广、可解决各种产品的发射率测量。

附图说明

图1为本发明高密度封装电子组件发射率检测方法的流程示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及取得的效果，下面结合附图及较佳实施例，对本发明的技术方案，进行清楚和完整的描述。

请参阅图1，为本发明高密度封装电子组件发射率检测方法的流程示意图。

本发明高密度封装电子组件发射率检测方法，包括以下步骤：

S101将腔体封帽打开的电子组件置于控温箱体内，其中，所述电子组件中的被测元器件通过所述打开的腔体封帽暴露；保持所述电子组件为非工作状态；对控温箱体进行温度控制，使所述电子组件温度稳定于预设值；

S102根据所述电子组件中各个被测元器件的材料特性，选择相应的电子材料反射测试板，并置于所述电子组件的表面；利用红外探头对准所述控温箱体上的红外窗口，对所述电子材料反射测试板进行聚焦；对所述电子材料反射测试板进行温度探测，获取各个被测元器件的反射表观温度；

S103将获取的各个被测元器件的反射表观温度，作为对各个被测元器件的环境反射温度补偿；