[发明专利]等离子体产生装置及应用其的表面处理方法

权利要求书

1.一种等离子体产生装置，其特征在于，包括：

一等离子体导管，具有一等离子体出口；

一反应源导管，设于该等离子体导管内，且具有一反应物出口；

一第一电极，设于该等离子体导管上；以及

一第二电极，设于该等离子体导管上且比该第一电极邻近于该等离子体导管的该等离子体出口；

其中，该反应源导管的该反应物出口不突出超过该第一电极的一下缘。

2.根据权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于，还包括：

一反应物源，提供一反应物给该反应源导管。

3.根据权利要求2所述的等离子体产生装置，其中该反应物是水气、含有水气的空气、羟基磷灰石、氟化物、氟化硅单体、四乙氧基硅烷、钛酸异丙酯或甲烷。

4.根据权利要求1所述的等离子体产生装置，其中该反应源导管的该反应物出口位于该第一电极的上缘与该下缘之间。

5.根据权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于，还包括：

一第一导电片，电性连接该第一电极与一电源供应单元的一第一极性端；以及

一第二导电片，电性连接该第二电极与一电源供应单元的一第二极性端。

6.根据权利要求1所述的等离子体产生装置，其中该第一电极及该第二电极各为一环状电极，各该环状电极具有一贯孔，该等离子体导管穿过该些贯孔配置。

7.根据权利要求1所述的等离子体产生装置，其特征在于，还包括：

一冷却导管，该等离子体导管设于该冷却导管内，且该冷却导管与该等离子体导管之间定义一冷却腔体，该第一电极及该第二电极位于该冷却腔体内。

8.根据权利要求7所述的等离子体产生装置，其中该第一电极具有一开口，该开口与该冷却导管的内部相通，以让冷却剂通过。

9.根据权利要求7所述的等离子体产生装置，其中该第一电极包括一第一突出部，该冷却导管具有一第一贯孔，该第一突出部设于该第一贯孔内且从该第一贯孔露出；该等离子体产生装置还包括：

一第一导电片，通过该第一突出部电性连接该第一电极。

10.根据权利要求7所述的等离子体产生装置，其中该第二电极包括一第二突出部，该冷却导管具有一第二贯孔，该第二突出部设于该第二贯孔内且从该第二贯孔露出；该等离子体产生装置还包括：

一第二导电片，通过该第二突出部电性连接于该第二电极。

11.根据权利要求1所述的等离子体产生装置，其中该等离子体导管与该反应源导管是同心配置。

12.一种表面处理法，其特征在于，包括：

提供一根据权利要求1所述的等离子体产生装置；

通过该第一电极与该第二电极，激化该等离子体导管内的等离子体源气体，以产生一等离子体；以及

通过该反应源导管提供一反应物给该等离子体，使该等离子体分解该反应物而产生表面处理元素，以对一待处理物进行表面处理。

13.根据权利要求12所述的表面处理方法，其中该待处理物是生物组织。

14.一种生物组织表面处理方法，其特征在于，包括：

提供一等离子体产生装置，该等离子体产生装置包括一等离子体导管、一反应源导管、一第一电极及一第二电极，该等离子体导管具有一等离子体出口，该反应源导管设于该等离子体导管内且具有一反应物出口，该第一电极设于该等离子体导管上，该第二电极设于该等离子体导管上且比该第一电极邻近于该等离子体导管的该等离子体出口，其中该反应源导管的该反应物出口不突出超过该第一电极的一下缘；

通过该第一电极与该第二电极，激化该等离子体导管内的等离子体源气体，以产生一等离子体，以对该生物组织进行一第一表面处理。

15.根据权利要求14所述的生物组织表面处理方法，其特征在于，还包括：

判断该等离子体的温度是否等于或小于一预定温度；

若该等离子体的温度等于或小于该预定温度，对该生物组织进行该第一表面处理；以及

若该等离子体的温度大于该预定温度，调整一等离子体产生参数，以使该等离子体的温度等于或小于该预定温度。