[发明专利]等离子体产生装置及应用其的表面处理方法在审
申请号: | 201310704213.8 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN104378899A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 刘志宏;梁沐旺;吴胜斌;沈添沐 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24;A61C17/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 产生 装置 应用 表面 处理 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种等离子体产生装置、应用其的表面处理方法与生物组织表面处理方法,且特别是有关于一种具有导管的等离子体产生装置、应用其的表面处理方法与生物组织表面处理方法。
背景技术
一般龋齿填补前,并未经过杀菌的前处理,因此在龋齿填补过程中容易产生细菌残留,也使得填补材容易脱落。或者,虽然生物组织经过杀菌,但一般的杀菌方法仍无法有效地消灭细菌。
发明内容
本发明是有关于一种等离子体产生装置,等离子体具有杀菌作用,可减少生物组织的感染程度。
根据本发明的一实施例,提出一种等离子体产生装置。等离子体产生装置包括一等离子体导管、一反应源导管、一第一电极及一第二电极。等离子体导管具有一等离子体出口。反应源导管设于等离子体导管内,且具有一反应物出口。第一电极设于等离子体导管上。第二电极设于等离子体导管上且比第一电极邻近于等离子体导管的等离子体出口。其中,反应源导管的反应物出口不突出超过第一电极的一下缘。
根据本发明的另一实施例,提出一种表面处理方法。表面处理方法包括以下步骤。提供一等离子体产生装置,等离子体产生装置包括一等离子体导管、一反应源导管、一第一电极及一第二电极,等离子体导管具有一等离子体出口,反应源导管设于等离子体导管内且具有一反应物出口,第一电极设于等离子体导管上,第二电极设于等离子体导管上且比第一电极邻近于等离子体导管的等离子体出口,其中反应源导管的反应物出口不突出超过第一电极的一下缘;通过第一电极与第二电极,激化等离子体导管内的等离子体源气体,以产生一等离子体;以及,通过反应源导管提供一反应物给该等离子体,使等离子体分解反应物而产生一表面处理元素,以对一待处理物进行表面处理。
根据本发明的另一实施例,提出一种生物组织表面处理方法。生物组织表面处理方法包括以下步骤。提供一等离子体产生装置,等离子体产生装置包括一等离子体导管、一反应源导管、一第一电极及一第二电极,等离子体导管具有一等离子体出口,反应源导管设于等离子体导管内且具有一反应物出口,第一电极设于等离子体导管上,第二电极设于等离子体导管上且比第一电极邻近于等离子体导管的等离子体出口,其中反应源导管的反应物出口不突出超过第一电极的一下缘;通过第一电极与第二电极,激化等离子体导管内的等离子体源气体,以产生一等离子体,以对一生物组织进行表面处理。
为了对本发明的上述及其他方面有更好的了解,下文特举诸项实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:
附图说明
图1A绘示依照本发明一实施例的等离子体产生装置的剖视图。
图1B绘示图1A中沿方向1B-1B’的剖视图。
图2A绘示依照本发明另一实施例的等离子体产生装置的剖视图。
图2B绘示图2A中沿方向2B-2B’的剖视图。
图3A绘示依照本发明另一实施例的等离子体产生装置的剖视图。
图3B绘示图3A中沿方向3B-3B’的剖视图。
图4绘示依照本发明一实施例的使用等离子体产生装置进行生物组织表面处理的流程图。
【符号说明】
100、200、300:等离子体产生装置;
110:等离子体导管;
110a:等离子体出口;
120:等离子体气体源;
130:反应源导管;
130a:反应物出口;
140:反应物源;
150:第一导电片;
160:第二导电片;
170:电源供应单元;
180:第一电极;
180a:通孔;
180b:下表面;
180u:上表面;
180r:开口;
181:第一突出部;
190:第二电极;
191:第二突出部;
210a:第一贯孔;
210b:第二贯孔;
210:冷却导管;
210c:冷却腔体;
220:冷却源;
310:保护套管;
310a:卡合凹槽部;
G1:等离子体源气体;
G2:反应物;
G3:冷却剂;
H:间隔;
P:等离子体;
S:表面处理元素;
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