[发明专利]具有衬底噪声隔离的方法及图像传感器

权利要求书

1.一种用于制造图像传感器的方法，其包括：

在衬底中形成背侧照明式BSI图像传感器，所述图像传感器包含：

像素阵列，其形成于所述衬底的前表面中或附近，及

一个或一个以上电路块，其形成于所述衬底中在所述像素阵列附近，每一电路块包含至少一个支持电路；

在所述衬底的所述前表面上形成互连层，所述互连层包括其内嵌入迹线及通孔的电介质，其中所述迹线及通孔将所述像素阵列电耦合到所述一个或一个以上支持电路中的至少一者；以及

环绕所述一个或一个以上电路块中的至少一者形成隔离沟槽以将所述像素阵列及其它电路块与由被所述隔离沟槽环绕的所述电路块内的所述至少一个支持电路产生的噪声隔离；

其中被环绕电路块包含噪声超过选定噪声阈值的至少一个支持电路且其中所述选定噪声阈值为所述像素阵列的噪声敏感度的至少10倍。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述隔离沟槽包括：

在所述衬底的背侧上以光刻方式图案化所述隔离沟槽；及

蚀刻所述隔离沟槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述隔离沟槽包括蚀刻穿过所述衬底的整个厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括用电介质填充所述隔离沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述衬底的所述背侧上形成一个或一个以上额外层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述隔离沟槽延伸穿过所述一个或一个以上额外层且穿过所述衬底的整个厚度。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述一个或一个以上额外层中的至少一者为抗反射涂层。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将载体晶片接合到所述互连层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述经隔离电路块包含功率管理电路或DCDC转换电路。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在于所述衬底中形成接合垫孔的同时且使用所使用的相同工艺来形成所述隔离沟槽。

11.一种背侧照明式BSI图像传感器，其包括：

像素阵列，其形成于衬底的前表面中；

一个或一个以上电路块，其形成于所述衬底中在所述像素阵列附近，每一电路块包含至少一个支持电路；

互连层，其形成于所述衬底的所述前表面上，所述互连层包括其内嵌入迹线及通孔的电介质，其中所述像素阵列通过所述迹线及通孔电耦合到所述一个或一个以上支持电路中的至少一者；及

隔离沟槽，其形成于所述衬底中且完全环绕所述电路块中的至少一者以将所述像素阵列与由被环绕电路块内的所述一个或一个以上支持电路产生的噪声隔离；

其中所述被环绕电路块包含噪声超过选定噪声阈值的至少一个支持电路且其中所述选定噪声阈值为所述像素阵列的噪声敏感度的至少10倍。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述隔离沟槽的深度等于所述衬底的厚度。

13.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述隔离沟槽填充有电介质。

14.根据权利要求11所述的图像传感器，其进一步包括形成于所述衬底的背侧上的一个或一个以上额外层。

15.根据权利要求14所述的图像传感器，其中所述隔离沟槽延伸穿过所述一个或一个以上额外层且穿过所述衬底的整个厚度。

16.根据权利要求14所述的图像传感器，其中所述一个或一个以上额外层中的至少一者为抗反射涂层。

17.根据权利要求11所述的图像传感器，其进一步包括接合到金属层的载体晶片。

18.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述经隔离电路块包含功率管理电路或DCDC转换电路。