[发明专利]具有衬底噪声隔离的方法及图像传感器

说明书

技术领域

所描述实施例大体来说涉及图像传感器，且特定来说(但非排他性地)涉及一种具有衬底噪声隔离的图像传感器。

背景技术

图像传感器广泛地用于数码静物相机、蜂窝式电话、安全摄像机、医疗、汽车及其它应用中。使用互补金属氧化物半导体(“CMOS”)技术在硅衬底上制造低成本图像传感器。

大多数CMOS图像传感器包含用于捕获图像的像素的二维阵列。所述像素阵列通常连同各种支持电路一起形成于衬底中及／或衬底上。如其名称所暗示，所述支持电路支持像素阵列捕获图像的操作。在许多情况中，其中形成像素阵列及支持电路的衬底为半导体。一些类型的支持电路可产生充足电平的噪声使得所述噪声可通过半导体衬底电发射且不利地影响较具噪声敏感性的组件(例如像素阵列)的操作。

发明内容

在一方面中，本发明提供一种方法，其包括：在衬底中形成背侧照明式(BSI)图像传感器，所述图像传感器包含：像素阵列，其形成于所述衬底的前表面中或附近；及一个或一个以上电路块，其形成于所述衬底中在所述像素阵列附近，每一电路块包含至少一个支持电路；在所述衬底的所述前表面上形成互连层，所述互连层包括其内嵌入迹线及通孔的电介质，其中所述迹线及通孔将所述像素阵列电耦合到所述一个或一个以上支持电路中的至少一者；环绕所述一个或一个以上电路块中的至少一者形成隔离沟槽以将所述像素阵列及其它电路块与由被所述隔离沟槽环绕的所述电路块内的所述至少一个支持电路产生的噪声隔离。

在另一方面中，本发明提供一种背侧照明式(BSI)图像传感器，其包括：像素阵列，其形成于衬底的前表面中；一个或一个以上电路块，其形成于所述衬底中在所述像素阵列附近，每一电路块包含至少一个支持电路；互连层，其形成于所述衬底的所述前表面上，所述互连层包括其内嵌入迹线及通孔的电介质，其中所述像素阵列通过所述迹线及通孔电耦合到所述一个或一个以上支持电路中的至少一者；及隔离沟槽，其形成于所述衬底中且完全环绕所述电路块中的至少一者以将所述像素阵列与由所述被环绕电路块内的所述一个或一个以上支持电路产生的噪声隔离。

附图说明

参考以下各图描述本发明的非限制性及非详尽实施例，其中在所有各视图中相似参考编号指代相似部件，除非另有规定。

图1是互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的实施例的示意图。

图2A是图像传感器的实施例的平面图。

图2B是图2A的图像传感器实施例的实质上沿着截面线B-B截取的横截面图。

图3是图像传感器的另一实施例的横截面图。

图4是图像传感器的又一实施例的平面图。

具体实施方式

描述用于具有衬底噪声隔离的图像传感器的设备、系统及方法的实施例。描述特定细节以提供对实施例的透彻理解，但相关领域的技术人员将认识到，可在没有所描述细节中的一者或一者以上的情况下或借助其它方法、组件、材料等实践本发明。在一些实例中，未详细展示或描述众所周知的结构、材料或操作，但尽管如此其仍涵盖在本发明的范围内。

在本说明书通篇中对“一个实施例”或“一实施例”的提及意指结合所述实施例所描述的特定特征、结构或特性包含于至少一个所描述的实施例中。因此，短语“在一个实施例中”或“在一实施例中”的出现未必全部指代同一实施例。此外，特定特征、结构或特性可在一个或一个以上实施例中以任何适合方式组合。