[发明专利]一种消除浅沟道隔离过程中硅基底缺陷的方法

权利要求书

1.一种消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)提供一硅基底，在该硅基底上表面依次形成氧化物层和氮化硅层，其中硅基底中含有氧化物缺陷；

(2)利用光掩模图形作为掩膜，对所述氮化硅层进行刻蚀，直至暴露出氧化物层上表面，从而在所述氮化硅层中形成第一沟槽；

(3)利用第一沟槽作为硬掩膜，沿所述第一沟槽对所述氧化物层继续刻蚀，直至暴露出硅基底，从而形成与第一沟槽贯通的第二沟槽；

(4)利用第一沟槽作为硬掩膜，沿所述贯通的第一沟槽和第二沟槽对所述硅基底继续刻蚀，至缺陷暴露为止，形成与第二沟槽贯通的第三沟槽；

(5)利用第一沟槽作为硬掩膜，沿所述贯通的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，用刻蚀氧化物缺陷的方式使暴露出的氧化物缺陷被清除；

(6)利用第一沟槽作为硬掩膜，沿所述贯通的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽对所述硅基底进行继续刻蚀，直到最终完成浅沟道隔离区的刻蚀为止，形成第四沟槽。

2.根据权利要求1所述的消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，其特征在于：所述氧化物层和氧化物缺陷包括二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，其特征在于：所述硅基底材料为单晶硅。

4.根据权利要求3所述的消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，其特征在于：所述硅基底中含有的氧化物缺陷是由二氧化硅渗入位于单晶硅表层的空洞型原生缺陷内部形成的。

5.根据权利要求1所述的消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，其特征在于：所述步骤至中刻蚀方法采用干法刻蚀。

6.根据权利要求5所述的消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，其特征在于：所述干法刻蚀包括反应离子刻蚀法。

7.根据权利要求2所述的消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，其特征在于：刻蚀氮化硅层所用的气体包括CF₄、SF₆中的一种或两种；刻蚀二氧化硅所用的气体包括CF₄、CHF₃中的一种或两种。

8.根据权利要求3所述的消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，其特征在于：刻蚀硅基底所用的气体包括HBr、SF₆、CL₂中的一种或几种组合。

9.根据权利要求1所述的消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，其特征在于：所述第三沟槽的刻蚀深度为90nm～120nm。

10.根据权利要求1所述的消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，其特征在于：所述硅基底中氧化物缺陷的直径为0.1微米～0.14微米。

11.根据权利要求1所述的消除浅沟道隔离刻蚀过程中硅基底缺陷的方法，其特征在于：所述步骤中的缺陷暴露包括不完全暴露，且没有暴露部分的尺寸为0.05微米以下。