[发明专利]刻蚀机的窗口遮挡装置

说明书

技术领域

本发明属于半导体及平板显示行业刻蚀领域，特别涉及一种刻蚀机的窗口遮挡装置。

背景技术

刻蚀技术（etching technique），是在半导体及平板显示工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。

刻蚀可分为湿刻蚀和干刻蚀，干刻蚀是一类较新型，但迅速为半导体工业所采用的技术。其利用等离子体 (plasma) 来进行薄膜材料的蚀刻加工。其中等离子体必须在真空度约10至0.001 Torr 的环境下，才有可能被激发出来；而干蚀刻采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，均能达成蚀刻的目的。

干刻蚀过程中等离子体具有较高的刻蚀速率，如果工艺控制不合理的话，出现的过度刻蚀很容易造成下一层材料的损伤，进而造成器件失效。因此，必须对刻蚀过程中的一些参数，如刻蚀用的化学气体、刻蚀时间、刻蚀速率，以及刻蚀选择比等参数进行严格控制。此外，刻蚀机状态的细微改变，如反应腔体内气体流量、温度、气体的回流状态等都会影响到对刻蚀参数的控制。因此，必须经常监控刻蚀过程中各种参数的变化，以确保刻蚀过程中刻蚀的一致性。为了实现刻蚀过程的实时监控，干刻蚀设备中通常使用刻蚀终点侦测器对刻蚀程度进行监控。

在干刻蚀过程中，刻蚀机上的刻蚀终点侦测器窗口（EPD Window）以及其他窗口会受等离子体损伤（Plasma Damage）而变黑，减薄，进而影响刻蚀终点侦测器或其他窗口光强收集。刻蚀终点侦测器窗口进行多次清洗后变薄会影响设备真空度，而如果更换频率过高的话又会增加生产成本。为此，目前在刻蚀生产中，大都采用在刻蚀终点侦测器窗口（EPD Window）或其他窗口前安装挡板。挡板主材料为Al，表面有阳极氧化处理，挡板表面设置有通光孔。这样就降低了等离子体对刻蚀终点侦测器窗口（EPD Window）或其他窗口的损伤。然而，此方案中，经过阳极氧化的挡板会受到等离子体的腐蚀，隔一段时间需要重新进行一次阳极氧化处理或更换，导致生产成本较高。另外，上述挡板上具有一定厚度的通光孔还会带来终点侦测器窗口的光线折射，影响刻蚀终点侦测的准确度。     

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题在于提供一种低成本且有效降低刻蚀过程中等离子体对刻蚀终点侦测器窗口或刻蚀机上其他窗口损伤，同时不影响光强收集的刻蚀机的窗口遮挡装置。

为解决上述技术问题，本发明公开了一种刻蚀机的窗口遮挡装置，其包括安装于刻蚀机箱体内壁上，并位于窗口前侧的透明遮挡物，所述透明遮挡物为耐腐蚀件。

上述刻蚀机的窗口遮挡装置中，所述窗口为刻蚀终点侦测器窗口。

上述刻蚀机的窗口遮挡装置中，所述刻蚀机箱体上设置有用于安装所述透明遮挡物的支撑装置，所述支撑装置为耐高温绝缘件。所述支撑装置包括水平支撑件以及位于所述水平支撑件两侧并互相平行设置的垂直支撑件；所述水平支撑件和所述垂直支撑件的内侧分别设置凹槽，上述透明遮挡物插入所述凹槽内。

上述刻蚀机的窗口遮挡装置中，所述凹槽的宽度与所述透明遮挡物的厚度相匹配，所述凹槽宽度为0.5-2mm。

上述刻蚀机的窗口遮挡装置中，所述透明遮挡物为玻璃挡板。

本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

（1）本发明的刻蚀机的窗口遮挡装置，其包括安装于刻蚀机箱体内壁上，并位于窗口前侧的透明遮挡物，透明遮挡物为耐腐蚀件。在进行干刻反应时，等离子体（Plasma）被透明遮挡物挡住，不会接触到刻蚀终点侦测器窗口（EPD Window）或其他窗口，延长窗口的使用寿命，同时透明遮挡物并不影响光强收集。

（2）在本发明中，位于窗口前侧的透明遮挡物为成本较低、耐腐蚀的玻璃挡板，大大降低生产成本。

（3）本发明的刻蚀机的窗口遮挡装置中，用于安装透明遮挡物的支撑装置包括水平支撑件以及垂直支撑件；水平支撑件和垂直支撑件的内侧分别设置凹槽，上述透明遮挡物插入所述凹槽内进行固定，上述安装结构简单，安装方式方便，便于透明遮挡物的更换。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明位于蚀终点侦测器窗口的遮挡装置的侧视图；

图中附图标记表示为：1-窗口，2-透明遮挡物，3-水平支撑件，4-垂直支撑件，4-刻蚀机箱体。

具体实施方式