[发明专利]发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201310708062.3 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103887443B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 横山浩平;小坂知裕;下敷领文一;川户伸一;菊池克浩;二星学;越智贵志;塚本优人;大崎智文 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 何欣亭,汤春龙 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光装置,包括:
第一下部电极和第二下部电极;
所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁;
所述第一下部电极、所述隔壁和所述第二下部电极上的上部电极;以及
所述上部电极与所述第一下部电极、所述隔壁、所述第二下部电极之间的导电层和发光层,
其中,所述导电层的导电性高于所述发光层的导电性且低于所述第一下部电极、所述第二下部电极和所述上部电极的每一个的导电性,
所述隔壁包括位于第一下部电极一侧的第一斜面和位于第二下部电极一侧的第二斜面,
并且,位于所述第一斜面上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第一斜面的方向上的总厚度大于位于所述第二斜面上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第二斜面的方向上的总厚度。
2.根据权利要求1所述的发光装置,
其中位于所述第二斜面上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的所述总厚度小于位于所述第一下部电极上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第一下部电极的方向上的总厚度,
并且位于所述第一斜面上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第一斜面的所述方向上的所述总厚度大于位于所述第一下部电极上的所述导电层和所述发光层的垂直于所述第一下部电极的所述方向上的所述总厚度。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中位于所述第二斜面上的所述导电层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一斜面上的所述导电层的垂直于所述第一斜面的所述方向上的厚度的2分之1。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其中位于所述第二斜面上的所述导电层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一下部电极上的所述导电层的垂直于所述第一下部电极的所述方向上的厚度的2分之1。
5.一种发光装置,包括:
第一下部电极和第二下部电极;
所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁;
所述第一下部电极、所述隔壁和所述第二下部电极的每一个上的第一发光层;
所述第一发光层上的第一导电层;
所述第一导电层上的第二发光层;以及
所述第二发光层上的上部电极,
其中,所述第一导电层的导电性高于所述第一发光层和所述第二发光层的每一个的导电性且低于所述第一下部电极、所述第二下部电极和所述上部电极的每一个的导电性,
所述隔壁包括位于第一下部电极一侧的第一斜面和位于第二下部电极一侧的第二斜面,
并且,位于所述第一斜面上的所述第一导电层的垂直于所述第一斜面的方向上的厚度大于位于所述第二斜面上的所述第一导电层的垂直于所述第二斜面的方向上的厚度。
6.根据权利要求5所述的发光装置,其中位于所述第二斜面上的所述第一导电层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一斜面上的所述第一导电层的垂直于所述第一斜面的所述方向上的厚度的2分之1。
7.根据权利要求5所述的发光装置,其中位于所述第二斜面上的所述第一导电层的垂直于所述第二斜面的所述方向上的厚度小于或等于位于所述第一下部电极上的所述第一导电层的垂直于所述第一下部电极的所述方向上的厚度的2分之1。
8.根据权利要求5所述的发光装置,还包括所述上部电极上的滤色片,
其中所述滤色片包括与所述第一下部电极重叠的具有第一颜色的区域以及与所述第二下部电极重叠的具有第二颜色的区域,
并且所述第一颜色与所述第二颜色不同。
9.根据权利要求5所述的发光装置,
其中发射第一颜色的光的多个第一发光元件配置为线状,
发射第二颜色的光的多个第二发光元件配置为线状,
所述多个第一发光元件的每一个包括位于所述第一下部电极与所述上部电极之间的所述第一发光层和所述第二发光层,
所述多个第二发光元件的每一个包括位于所述第二下部电极与所述上部电极之间的所述第一发光层和所述第二发光层,
并且所述隔壁设置在所述多个第一发光元件的每一个与所述多个第二发光元件的每一个之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社,未经株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310708062.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型翻模机
- 下一篇:一种可嵌套混凝土试块放置支架
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择