[发明专利]集成上电复位电路

权利要求书

1.一种集成上电复位电路，包括电阻器和电容器，其特征在于，所述电阻器布置成以量子隧穿效应让电流通过，以对所述电容器充电。

2.如权利要求1所述的集成上电复位电路，其中，所述电阻器包括绝缘层。

3.如权利要求2所述的集成上电复位电路，其中，所述绝缘层的厚度约为5纳米或更少。

4.如前述任一项权利要求所述的集成上电复位电路，其中，所述电阻器包括场效应晶体管，该场效应晶体管布置成，在使用中，电流以量子隧穿效应穿过所述晶体管的栅极电介质。

5.如前述任一项权利要求所述的集成上电复位电路，其中，所述电容器包括场效应晶体管，该效应晶体管布置成存储穿过晶体管的栅极电介质的电荷。

6.如前述任一项权利要求所述的集成上电复位电路，其中，所述电容器包括厚度约为6纳米或更多的电介质层。

7.如前述任一项权利要求所述的集成上电复位电路，其中，所述电阻器包括p沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，并且其中所述pMOS晶体管的漏极和源极连接到电源电压轨中，同时所述pMOS晶体管的栅极连接到所述电容器的高电势端。

8.如前述任一项权利要求所述的集成上电复位电路，其中，所述电容器包括n沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，并且，所述nMOS晶体管的漏极和源极接地，同时nMOS晶体管的栅极连接到所述电阻器的低电势端。

9.如前述任一项权利要求所述的集成上电复位电路，包括连接在电阻器和电容器之间的中间晶体管，所述中间晶体管受电源电压控制。

10.如权利要求9所述的集成上电复位电路，其中，所述中间晶体管的栅极连接到电压分压器以接收比电源电压低的电压。

11.如权利要求10所述的集成上电复位电路，其中，所述分压器包括多个串联布置的二极管连接成的晶体管。

12.如前述任一项权利要求所述的集成上电复位电路，被配置成：当所述电容器的高电势端的电压通过预定的电平时，维持或撤销复位信号。

13.如前述任一项权利要求所述的集成上电复位电路，包括用于在上电复位电路的电源电压下降到预定的可接受水平之下时，使所述电容器放电的装置。

14.一种设备，其特征在于包含如前述任一项权利要求所述的集成上电复位电路。

15.如权利要求14所述的设备，还包括微控制器和一个或多个集成的外围装置，并且，所述设备被布置成从所述上电复位电路向微控制器和外围装置发送复位信号。

16.一种包括电阻器和电容器的集成电路，其中，所述电阻器被配置成以量子隧穿效应让电流通过，以对所述电容器充电。

17.如权利要求16所述的集成电路，被布置成用作一下任何一种或多种：低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器、以及定时器。