[发明专利]一种晶圆切割方法在审
申请号: | 201310712202.4 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN103681493A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 刘传芳;黄永峰 | 申请(专利权)人: | 广东威创视讯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L33/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 禹小明 |
地址: | 510663 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 切割 方法 | ||
1.一种晶圆切割方法,其特征在于,在晶圆上划分出若干个圆环,在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。
2.根据权利要求1所述的晶圆切割方法,其特征在于,在晶圆上划分出若干个圆环是依据在同一圆心角内,圆环上各个小圆弧体的面积相等确定各个圆环的半径,根据确定后的半径划分各个圆环。
3.根据权利要求2所述的晶圆切割方法,其特征在于,圆环半径的确定步骤包括:
获取晶圆的初始半径Rmax,并预设与初始半径Rmax对应的圆环相邻的圆环半径为Rmax-1,然后根据公式Rmax-12=(Rmax2+Rmax-22)/2依次推导出其他圆环的半径。
4.根据权利要求3所述的晶圆切割方法,其特征在于,通过调整不同的Rmax-1得到不同的圆环半径数据,计算出一组晶圆利用率最大的半径数据作为圆环划分的依据。
5.根据权利要求2至4任一项所述的晶圆切割方法,其特征在于,在确定好圆环的半径后,将每个圆环均匀分为N份,根据360°/N获取切割的圆心角,根据圆心角在晶圆上切割出面积相等的小圆弧体。
6.根据权利要求1所述的晶圆切割方法,其特征在于,在晶圆上划分出若干个圆环的步骤包括:
获取晶圆的初始半径Rmax,并确定各个圆环之间的半径差△R,根据Rmax和△R确定晶圆上各个圆环的半径,根据确定的半径数据划分出各个圆环。
7.根据权利要求6所述的晶圆切割方法,其特征在于,通过调整不同的△R得到不同的圆环半径数据,计算出一组晶圆利用率最大的半径数据作为圆环划分的依据。
8.根据权利要求1-4、6、7任一项所述的晶圆切割方法,其特征在于,在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体的步骤包括:
根据各个圆环的半径确定各个圆环各自的切割圆心角,其中所有圆环上通过各自的切割圆心角所界定的面积相等或近似相等;
根据不同的切割圆心角在各个圆环上切割出面积相等或近似相等的小圆弧体。
9.根据权利要求1-4、6、7任一项所述的晶圆切割方法,其特征在于,所述晶圆为LED晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造