[发明专利]一种晶圆切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆制作领域，更具体地，涉及一种晶圆切割方法。

背景技术

LED wafer，即LED晶圆，是LED的核心部分，LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于晶圆材料。LED的相关电路元件的加工与制作都是在晶圆上完成的，所以晶圆技术与设备是晶圆制造技术的关键所在。

在LED芯片的制作过程中，是在以蓝宝石或者碳化硅等材料作为衬底的基础上生长外延层半导体材料以及PN结的，然后直接切割即成为LED芯片。传统切割wafer的方法一般是切成一个个小长方体，如图1所示，传统的wafer切割是直接在wafer1上按照事先设定好的小正方形2尺寸进行一个个分格划线，然后通过金属切割刀上下左右走线来切割出一个个的小正方形2。这种切割方法比较容易实现，但是浪费比较大，按照图1中的切割方法，wafer的总体利用率只有百分之八十多，还有百分之十几被废置。可见图1所示的切割方法使得wafer利用率比较低，材料浪费比较大，而且由于wafer在生长过程中产生的不均匀导致在同一片wafer上面不同位置的差异也是很大的，因而导致进行LED芯片分bin的时候比较复杂，影响了LED芯片的成本以及良率。

发明内容

本发明为克服上述现有技术所述的至少一种缺陷（不足），提供一种提高晶圆利用率的晶圆切割方法。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：

一种晶圆切割方法，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。

与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：

现有技术中晶圆一般制作成圆形，因此，本发明通过在晶圆上划分不同的圆环，然后在圆环上划分出面积相等或近似相等的小圆弧体，可以充分利用圆形的晶圆，减少浪费，从而提高晶圆的利用率，降低芯片的成本。

附图说明

图1为传统的wafer切割方法示意图。

图2为本发明一种晶圆切割方法具体实施例2中的切割示意图。

图3为一种晶圆切割方法具体实施例2中一种最优实施方式的流程图。

图4为本发明一种晶圆切割方法具体实施例3中的切割示意图。

图5为一种晶圆切割方法具体实施例3中一种最优实施方式的流程图。

具体实施方式

附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；

为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；

对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含所指示的技术特征的数量。由此，限定的“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介间接连接，可以说两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明的具体含义。

下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。

实施例1

一种晶圆切割方法，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。

本发明采用的是圆环切割，而非常规的方形切割，在晶圆wafer上采用圆环切割的思想，切割出来的所有小圆弧体面积相等或近似相等，可以使得通过切割以后的每一个小圆弧体的电流密度一致，进而保证切割以后的每个小圆弧体的电参数、光参数的一致性。而且现有技术中晶圆一般制作成圆形，因此，本发明通过在晶圆上切割出面积相等或近似相等的小圆弧体，可以充分利用圆形的晶圆，减少浪费，提高晶圆的利用率，降低芯片的成本。

本实施例中的晶圆切割方法优先应用于LED晶圆上，当然，本实施例的晶圆切割方法也可以应用在其他晶圆上。

下面结合具体的切割方式对本发明的晶圆切割方法进行进一步的说明。

实施例2

本实施例是在实施例1的基础上实现的。在本实施例中采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法，切割时保证每个圆环在同一个圆心角内的环形面积相等，从而保证在同一个圆心角内切出来的所有小圆弧体的面积都是相等的。具体如下：