[发明专利]一种优质小西瓜的种植方法

权利要求书

1.一种优质小西瓜的种植方法，其特征在于包括以下步骤：

开沟：在瓜地中开宽100～120cm、深40～50cm的沟，每沟间距80～100cm；

填充基肥，在沟中填入30～40cm的基肥，所述的基肥由20～40%的秸秆、30～50%的圈肥、10～30%的饼肥和5～15%的钾肥均匀混合而成；

填充栽培层，在沟中填入栽培层，使沟壑填平，所述的栽培层为质量比为3：2的猪粪液和优质黑土混合而成，并且进行自然风干至栽培层的水份刚好不能自动溢出为止；

播种，用直径为3cm的木棍在栽培层上打两排深2～3cm的小孔，行间距为10～15cm，株间距为60～80cm，每个孔放入3～5粒小西瓜籽，然后均匀撒上2～4cm厚的覆盖层，所述的覆盖层为质量比为3：2的猪粪液和黄沙混合而成，且自然风干至覆盖层刚好能成散沙状为止；

幼苗管理，待幼苗冒出土时，每天喷洒含量为1.5%尿素溶液，直至幼苗张至50～60cm时停止喷洒，并且在幼苗基部掏出高10～15cm的梗；

修枝留瓜，每株保留3～4个蔓，在瓜蔓长至100～150cm长时开始留瓜，每个瓜蔓上可以瓜多个瓜。但是每个瓜蔓之多同时挂两个瓜；

挂瓜期管理，挂瓜后，每隔3～5天喷洒含3%的尿素、0.75%的磷肥和0.065的钾肥溶液，直至瓜果成熟。

2.根据权利要求1所述的优质小西瓜的种植方法，其特征在于：所述的饼肥为油菜饼肥。