[发明专利]TFT阵列基板、显示面板和显示装置有效
| 申请号： | 201310712762.X | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103943629A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 乐琴;沈柏平;叶岩溪 | 申请（专利权）人： | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种TFT阵列基板，包括
第一电极层；以及
层叠于所述第一电极层下方的第二电极层；
其中，所述第一电极层包括条形第一电极，第二电极层为片状电极，所述条形第一电极包括弯曲部，所述第二电极层包括至少一个开孔，所述开孔位于所述弯曲部的下方。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述开孔的数量小于等于所述弯曲部的数量。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述开孔贯穿于所述第二电极层。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述开孔不贯穿所述第二电极层。
5.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述开孔朝向所述第一电极层。
6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述开孔沿第一方向的最大长度小于等于所述弯曲部沿第一方向的最大长度。
7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述开孔沿第二方向的最大长度小于等于相邻两条所述条形第一电极的间距。
8.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述开孔沿第一方向的长度顺着弯曲部的开口朝向方向逐渐减小。
9.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一电极层为像素电极层，所述第二电极层为公共电极层；或者，所述第一电极层为公共电极层，所述第二电极层为像素电极层。
10.一种显示面板，包括：
如权利要求1-9任一项所述的TFT阵列基板；
彩膜基板，与所述TFT阵列基板相对设置；以及
液晶层，位于所述TFT阵列基板和彩膜基板之间。
11.一种显示装置，包括如权利要求10所述的显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司，未经厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310712762.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种控制西林瓶进出冻干机的连接装置
- 下一篇：一种自动分拣传送装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
