[发明专利]TFT阵列基板、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201310712762.X | 申请日: | 2013-12-23 |
公开(公告)号: | CN103943629A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 乐琴;沈柏平;叶岩溪 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1335 |
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地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
目前,平板显示器,如液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)和有机发光显示器(Organic Light Emit Display,OLED)等,由于其具有体积小、重量轻、厚度薄、功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。在成像过程中,平板显示器中每一像素点都由集成在阵列基板中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)来驱动,再配合外围驱动电路,实现图像显示,TFT是控制发光的开关,是实现液晶显示器LCD和有机发光显示器OLED大尺寸化的关键,直接关系到高性能平板显示器的发展方向。在实际产品中发现,有些液晶显示器在白画面下,出现了黑色筹线这一显示缺陷,而随着对产品和显示效果的要求越来越高,如何快速消除黑色筹线成为了本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种TFT阵列基板、显示面板和显示装置。
一种TFT阵列基板,包括第一电极层;以及层叠于所述第一电极层下方的第二电极层;其中,所述第一电极层包括条形第一电极,第二电极层为片状电极,所述条形第一电极包括弯曲部,所述第二电极层包括至少一个开孔,所述开孔位于所述弯曲部的下方。
相应的,本发明还提供一种显示面板,包括如上所述的TFT阵列基板;彩膜基板,与所述TFT阵列基板相对设置,以及液晶层,位于所述TFT阵列基板和彩膜基板之间。
相应的,本发明还提供一种显示装置,包括如上所述的显示面板。
与现有技术相比,本发明具有如下突出的优点之一:
本发明的TFT阵列基板、显示面板和显示装置,通过在第二电极层上设置开孔,并设置开孔位于第一电极的弯曲部的下方,可以达到以下至少一个效果:减少条形第一电极的弯曲部和第二电极层之间的的交叠面积,从而减少条形第一电极的弯曲部与第二电极层交叠处的电场对液晶配向的影响,而达到减少黑色筹线的效果,及提高基板制备的良率,提高了显示品质。
附图说明
图1是本发明一实施例的TFT阵列基板的一种结构示意图;
图2是本发明一实施例第一电极层的一种俯视图;
图3是本发明一实施例第一电极层的另一种俯视图;
图4是本发明一实施例的TFT阵列基板的另一种结构示意图;
图5是本发明一实施例的TFT阵列基板的条形第一电极与开孔的俯视示意图;
图6是本发明又一实施例的TFT阵列基板的一种结构示意图;
图7是本发明一实施例提供的显示面板的结构示意图;
图8本发明一实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
需要说明的是:
在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
本发明实施例的TFT阵列基板可以由非晶硅工艺、低温多晶硅工艺或氧化物工艺制备,其相关的制程可以采用本领域的习知技术,在此不赘述。
如图1所示,本发明实施例一提供一种TFT阵列基板1,包括第一电极层2;以及层叠于所述第一电极层2下方的第二电极层3,第二电极层3为片状电极,即第二电极层3是整面平铺于TFT阵列基板1,以及绝缘层11,位于第一电极层2和第二电极层3之间;其中,如图2所示,所述第一电极层2包括条形第一电极21,每条条形第一电极21间有刻缝22,所述条形第一电极21包括弯曲部211,所述第二电极层3包括至少一个开孔31,所述开孔31位于所述弯曲部211的下方(例如为正下方),本发明实施例不对每条条形第一电极的弯曲部211的数量做限制,比如,还可以如图3所示,每条条形第一电极包括3个弯曲部211。
进一步的,如图4所示,所述开孔31贯穿于所述第二电极层3。所述开孔31的数量小于等于所述弯曲部211的数量(需要说明的是,本实施例不对开孔31的数量做限制,图4中的开孔311数量为2个仅为举例而非限定,实际工作中,工作人员可以根据实际需求合理设定)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的