[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效

申请号：	201310713498.1	申请日：	2013-12-20
公开（公告）号：	CN103700670A	公开（公告）日：	2014-04-02
发明（设计）人：	孙宏达;陈海晶	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L21/77
代理公司：	北京银龙知识产权代理有限公司 11243	代理人：	许静;黄灿
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	阵列及其制作方法显示装置
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【权利要求书】：

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在制作导电图形之前，利用制作导电图形的掩膜板对所述导电图形之下的绝缘层进行构图；

沉积导电层，利用制作导电图形的掩膜板对所述导电层进行构图形成所述导电图形。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述利用制作导电图形的掩膜板对所述导电图形之下的绝缘层进行构图包括：

形成绝缘层的第一图形；

在形成有所述绝缘层的第一图形的基板上涂覆光刻胶，利用制作导电图形的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于所述导电图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于所述导电图形以外的区域，进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；

通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的部分绝缘层，剥离剩余的光刻胶，形成所述绝缘层的与所述导电图形对应的第二图形，所述第二图形的边缘处存在有斜坡。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导电图形下的绝缘层厚度大于其他区域处的绝缘层厚度。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述利用制作导电图形的掩膜板对所述导电层进行构图形成所述导电图形包括：

在所述绝缘层上沉积导电层；

在所述导电层上涂覆光刻胶，利用制作导电图形的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于所述导电图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于所述导电图形以外的区域，进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；

通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的导电层，剥离剩余的光刻胶，形成所述导电图形。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述导电图形为源电极、漏电极、数据线、栅电极、栅线或像素电极。

6.一种以权利要求1-5中任一项所述方法制作的阵列基板，其特征在于，至少一导电图形之下的绝缘层包括有与所述导电图形对应的绝缘层图形，所述导电图形与所述绝缘层图形的边缘对齐。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述导电图形下的绝缘层厚度大于其他区域处的绝缘层厚度。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，与所述导电图形对应的绝缘层图形的边缘存在有斜坡。

9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述导电图形为源电极、漏电极、数据线、栅电极、栅线或像素电极。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6-9中任一项所述的阵列基板。