[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

在LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示器）阵列基板和OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）阵列基板的制作过程中，导电图形刻蚀不均匀将会对阵列基板的显示性能造成影响，例如阵列基板常常使用氧化铟锡（ITO）来制作像素电极，但是在沉积ITO时，容易因长期溅射导致的温度升高而形成ITO结晶，随ITO薄膜的厚度增加，这种现象愈加明显，由于晶态ITO的刻蚀比较困难，因此在随后刻蚀ITO薄膜形成像素电极的图形时，容易发生ITO残留。

如图1所示为较常见的阵列基板结构，在衬底基板4上制作包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极层等在内的阵列基板各膜层3之后进行钝化层2和ITO层1的制作。ITO经过构图工艺后，理想的状况如图2所示，在相邻保留ITO薄膜的区域7（也即为相邻ITO图形区域）之间的去除ITO薄膜的区域5的ITO膜层应该被完全去除，露出下面的钝化层。但是，在刻蚀ITO层形成像素电极图形的时候，由于晶态ITO的刻蚀比较难，如图3所示，经常出现刻蚀不完全的情况，在区域7将保留ITO薄膜形成电极，在区域5将去除ITO薄膜露出下面的钝化层，但是由于晶态ITO的刻蚀难度大于常态ITO的刻蚀难度，在区域7的周边区域6，仍然会遗留有ITO晶粒。区域7的周边区域6遗留的ITO晶粒如果过多会使相邻像素的像素电极之间电连接，严重影响阵列基板的电学性能，增加了阵列基板整体性能的不可控性，最终将会影响显示装置的显示效果。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够保证在刻蚀后导电图形的周边无残留，减小了刻蚀残留对显示装置的性能的影响。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在制作导电图形之前，利用制作导电图形的掩膜板对所述导电图形之下的绝缘层进行构图；

沉积导电层，利用制作导电图形的掩膜板对所述导电层进行构图形成所述导电图形。

进一步地，所述利用制作导电图形的掩膜板对所述导电图形之下的绝缘层进行构图包括：

形成绝缘层的第一图形；

在形成有所述绝缘层的第一图形的基板上涂覆光刻胶，利用制作导电图形的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于所述导电图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于所述导电图形以外的区域，进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；

通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的部分绝缘层，剥离剩余的光刻胶，形成所述绝缘层的与所述导电图形对应的第二图形，所述第二图形的边缘处存在有斜坡。

进一步地，所述导电图形下的绝缘层厚度大于其他区域处的绝缘层厚度。

进一步地，所述利用制作导电图形的掩膜板对所述导电层进行构图形成所述导电图形包括：

在所述绝缘层上沉积导电层；

在所述导电层上涂覆光刻胶，利用制作导电图形的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于所述导电图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于所述导电图形以外的区域，进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；

通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的导电层，剥离剩余的光刻胶，形成所述导电图形。

进一步地，所述导电图形为源电极、漏电极、数据线、栅电极、栅线或像素电极。

本发明实施例还提供了一种利用以上述方法制作的阵列基板，至少一导电图形之下的绝缘层包括有与所述导电图形对应的绝缘层图形，所述导电图形与所述绝缘层图形的边缘对齐。

进一步地，所述导电图形下的绝缘层厚度大于其他区域处的绝缘层厚度

进一步地，与所述导电图形对应的绝缘层图形的边缘存在有斜坡。

进一步地，所述导电图形为源电极、漏电极、数据线、栅电极、栅线或像素电极。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。

本发明的实施例具有以下有益效果：