[发明专利]阵列基板及其制造方法和触摸显示装置有效

专利信息
申请号: 201310718479.8 申请日: 2013-12-23
公开(公告)号: CN103713792A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 魏向东;郝学光;李成;安星俊;柳奉烈 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 触摸 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,该阵列基板包括多条数据线、多条栅线和多个薄膜晶体管,多条所述数据线和多条所述栅线互相交错,以将所述阵列基板划分为多个像素单元,每个所述像素单元内都设置有所述薄膜晶体管,其特征在于,所述阵列基板还包括多条第一触摸感测电极和多条第二触摸感测电极,所述第一触摸感测电极设置在所述薄膜晶体管的沟道的下方,且所述第一触摸感测电极同时作为阻挡背光源发出的光线的屏蔽金属层,所述第一触摸感测电极与所述第二触摸感测电极互相交错,且所述第一触摸感测电极与所述第二触摸感测电极的相交处形成电容。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,相邻两条所述栅线之间设置有公共栅线以接收公共信号,所述公共栅线至少部分与所述薄膜晶体管的漏极和所述第一触摸感测电极相对应,以使得所述公共栅线与所述薄膜晶体管的漏极之间形成第一存储电容,且所述公共栅线与所述第一触摸感测电极之间形成第二存储电容。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,形成所述薄膜晶体管的有源层的材料包括低温多晶硅,所述阵列基板还包括缓冲层,所述薄膜晶体管的有源层设置在所述缓冲层的上表面,所述第一触摸感测电极设置在所述缓冲层的下表面,所述第二触摸感测电极设置在所述缓冲层的上方。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,相邻两条所述第一触摸感测电极之间设置有第一浮空电极。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第二触摸感测电极同时作为所述阵列基板的公共电极。

6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,相邻两条所述第二触摸感测电极之间设置有第二浮空电极。

7.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,在每个所述像素单元内,所述薄膜晶体管的有源层通过第一过孔与对应的所述第一触摸感测电极相连。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括栅绝缘层、中间绝缘层、平坦化层和钝化层,所述栅绝缘层覆盖所述薄膜晶体管的有源层,所述栅线和所述公共栅线设置在所述栅绝缘层的上表面,所述中间绝缘层覆盖所述栅线和所述公共栅线,所述薄膜晶体管的源极和漏极设置在所述中间绝缘层的上表面,所述平坦化层覆盖所述薄膜晶体管的源极和漏极,所述第二触摸感测电极设置在所述平坦化层的上方,所述钝化层覆盖所述公共电极,所述阵列基板的像素电极设置在所述钝化层的上表面,所述薄膜晶体管的源极和漏极均通过贯穿所述中间绝缘层和所述栅绝缘层的第二过孔与所述薄膜晶体管的有源层相连,所述像素电极通过贯穿所述钝化层和所述平坦化层的第三过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。

9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一触摸感测电极为触控感应电极,所述第二触摸感测电极为触控驱动电极。

10.一种触摸显示装置,该触摸显示装置包括阵列基板、触摸驱动电路和触摸控制电路,其特征在于,所述阵列基板为权利要求1至9中任意一项所述的阵列基板,所述第一触摸感测电极、所述第二触摸感测电极分别与所述触摸驱动电路和触摸控制电路相连,所述触摸驱动电路用于在触摸时间段向所述第一触摸感测电极和所述第二触摸感测电极中的一者提供触控驱动信号,当有触摸操作时,所述第一触摸感测电极和所述第二触摸感测电极中的另一者耦合所述触控驱动信号形成位置感应信号并向所述触摸控制电路输出所述位置感应信号。

11.根据权利要求10所述的触摸显示装置,其特征在于,所述触摸显示装置还包括显示驱动电路,所述栅线和所述数据线分别与所述显示驱动电路相连,所述显示驱动电路用于在显示时间段,向所述栅线输出扫描信号,向所述数据线提供灰阶信号。

12.根据权利要求11所述的触摸显示装置,其特征在于,相邻两条所述第一触摸感测电极之间设置有第一浮空电极,所述第一浮空电极与所述触摸驱动电路相连,其中,

在所述触控时间段,所述触摸驱动电路向所述第一浮空电极输出与公共信号相同的电信号;

在显示时间段,所述第一浮空电极浮置。

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