[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201310718480.0 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN103715265A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
形成在衬底上方的栅极，所述栅极连接在栅线上；
形成在所述栅极和栅线上方的半导体层；
其特征在于，
所述半导体层至少部分超出所述栅极。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层在垂直于所述栅线的方向上超出所述栅极。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层在远离栅线的一侧超出所述栅极，且半导体层在远离所述栅线一侧的中间部分向靠近栅线的方向凹进，且与所述栅极边缘齐平。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层在靠近栅线的一侧超出所述栅极，且半导体层在靠近所述栅线一侧的中间部分向远离栅线的方向凹进以露出部分所述栅极。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层在远离栅线的一侧超出所述栅极，且半导体层在远离所述栅线一侧的中间部分向靠近栅线的方向凹进以露出部分所述栅极。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层在靠近栅线的一侧超出所述栅极，且半导体层在靠近所述栅线一侧的中间部分向远离栅线的方向凹进以露出部分所述栅极。
7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层在靠近栅线的一侧超出所述栅极，且半导体层在靠近所述栅线一侧的中间部分向远离栅线的方向凹进以露出部分所述栅极。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层在平行于栅线的方向超出所述栅极。
9.根据权利要求1至7任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括覆盖所述半导体层的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层包括位于半导体层上方的漏电极的接触过孔和源电极的接触过孔，所述源电极的接触过孔和漏电极的接触过孔与半导体层接触形成接触部，每个所述接触部的边缘到半导体层的边缘至少有4微米的距离。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括覆盖所述半导体层的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层包括位于半导体层上方的漏电极的接触过孔和源电极的接触过孔，所述源电极的接触过孔和漏电极的接触过孔与半导体层接触形成接触部，每个所述接触部的边缘到半导体层的边缘至少有4微米的距离。
11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料为金属氧化物半导体或石墨烯半导体。
12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的厚度范围为
13.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括如权利要求1至12中任意一项所述的薄膜晶体管。
14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求13所述的阵列基板。
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