[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效

申请号：	201310718480.0	申请日：	2013-12-23
公开（公告）号：	CN103715265A	公开（公告）日：	2014-04-09
发明（设计）人：	刘翔	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L29/786	分类号：	H01L29/786;H01L29/10;G02F1/1362;H01L27/12
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	柴亮;张天舒
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管阵列显示装置
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【说明书】：

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）因具有体积小、功耗低、无辐射等特点而深受市场欢迎。其中，金属氧化物TFT迁移率高，均一性好，透明，制作工艺简单，能够更好地满足大尺寸、高刷新频率的薄膜晶体管液晶显示器的发展要求。

结合图1～3所示，现有技术中在制作金属氧化物TFT过程中，为防止在刻蚀源漏金属电极时腐蚀掉金属氧化物半导体层，一般在金属氧化物半导体层上面增加一层刻蚀阻挡层，保护金属氧化物半导体层不被源漏金属的刻蚀液腐蚀。刻蚀阻挡层一般采用接触过孔设计。图1示出了现有技术中的一种栅极11和半导体层2的位置和大小关系，半导体层2下方是栅极11（半导体层2和栅极11之间有栅绝缘层，栅绝缘层在图1和图2中未示出），在垂直于栅线12的方向（如图1中BB方向）上，半导体层2比栅极11小，在平行于栅线方向（如图1中AA方向）上，半导体层2与栅极11齐平。如图2和图3所示，栅极11上方为栅绝缘层6，栅绝缘层6上形成有有源层2，其上沉积有刻蚀阻挡层5，刻蚀阻挡层5包括源电极接触过孔3和漏电极接触过孔4，通过接触过孔3、4，源电极和漏电极分别与有源层实现电连接。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于对位精度要求很高，而现有工艺达到的精度有限以及半导体层比栅极小，故对刻蚀阻挡层的源电极和漏电极的接触过孔进行刻蚀时可能会偏出半导体层而到达无半导体层的栅极上方，从而会继续刻蚀掉栅极绝缘层，导致源电极或漏电极金属与栅极金属短路，降低了产品的良率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的采用底栅型薄膜晶体管的阵列基板刻蚀源电极和漏电极的接触过孔时可能导致源电极或漏电极金属与栅极金属短路的问题，提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，其能有效解决上述源电极或漏电极金属与栅极金属短路的问题从而提高产品良率。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管，包括：

形成在衬底上方的栅极，所述栅极连接在栅线上；

形成在所述栅极和栅线上方的半导体层；

所述半导体层至少部分超出所述栅极。

优选的是，所述半导体层在垂直于所述栅线的方向上超出所述栅极。

进一步优选的是，所述半导体层在远离栅线的一侧超出所述栅极，且半导体层在远离所述栅线一侧的中间部分向靠近栅线的方向凹进，且与所述栅极边缘齐平。

更进一步优选的是，所述半导体层在靠近栅线的一侧超出所述栅极，且半导体层在靠近所述栅线一侧的中间部分向远离栅线的方向凹进以露出部分所述栅极。

进一步优选的是，所述半导体层在远离栅线的一侧超出所述栅极，且半导体层在远离所述栅线一侧的中间部分向靠近栅线的方向凹进以露出部分所述栅极。

进一步优选的是，所述半导体层在靠近栅线的一侧超出所述栅极，且半导体层在靠近所述栅线一侧的中间部分向远离栅线的方向凹进以露出部分所述栅极。

优选的是，所述半导体层在平行于栅线的方向超出所述栅极。