[发明专利]有机电致发光器件、显示装置

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其包括阳极层、阴极层，以及设置在阳极层与阴极层之间的有机功能层，所述有机功能层包括发光层，其特征在于，所述阳极层到有机功能层的注入势垒和阴极层到有机功能层的注入势垒均不超过1ev；

所述发光层包括位于所述阳极层一侧的空穴载流子传输区、位于所述阴极层一侧的电子载流子传输区以及位于空穴载流子传输区和电子载流子传输区之间的发光区，其中，空穴载流子从空穴载流子传输区到发光区，以及电子载流子从电子载流子传输区到发光区均无势垒。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层由空穴载流子传输能力不低于电子载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂荧光发光有机材料制成，或所述发光层由空穴载流子传输能力不低于电子载流子传输能力的荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或所述发光层由具有空穴载流子传输能力不低于电子载流子传输能力的磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层由电子载流子传输能力不低于空穴载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂荧光发光有机材料制成，或所述发光层由电子载流子传输能力不低于空穴载流子传输能力的荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或所述发光层由电子载流子传输能力不低于空穴载流子传输能力的磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。

4.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括设置于发光层与阴极层之间的电子传输层，所述电子传输层的LUMO能级位置比发光层的LUMO能级位置高0～1ev，其中，所述发光层的空穴载流子的传输能力不低于电子载流子的传输能力。

5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的HOMO能级位置比发光层的HOMO能级位置低0～1ev。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层用于阻挡未复合的电子载流子迁移到阳极层。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度在1nm至10nm之间。

8.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括设置于阳极层与发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层的HOMO能级位置比发光层的HOMO能级位置低0～1ev，其中，所述发光层的电子载流子的传输能力不小于空穴载流子的传输能力。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的LUMO能级位置比发光层的LUMO能级位置高0～1ev。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层用于阻挡未复合的空穴载流子迁移到阴极层。

11.根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的厚度在1nm至10nm之间。

12.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括设置于阳极层与发光层之间的空穴传输层，以及设置于阴极层与发光层之间的电子传输层，其中，所述空穴传输层的HOMO能级位置比发光层的HOMO能级位置低0～1ev，所述电子传输层的LUMO能级位置比发光层的LUMO能级位置高0～1ev。

13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层由具有空穴载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂的荧光发光有机材料制成。

14.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层由具有电子载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂的荧光发光有机材料制成。

15.根据权利要求1至14中任意一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述有机电致发光器件的阳极层与所述空穴传输层/发光层之间。

16.根据权利要求15所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层材料为p掺杂空穴注入材料，所述p掺杂空穴注入材料的掺杂剂材料为：F4-TCNQ。