[发明专利]有机电致发光器件、显示装置有效

专利信息
申请号: 201310718937.8 申请日: 2013-12-23
公开(公告)号: CN103715360A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 杨栋芳;皇甫鲁江;金馝奭 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明属于显示技术领域,具体涉及一种有机电致发光器件、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。

如图1所示,有机发光二极管包括阴极层2、阳极层1(图中标号1、2只是示意阳极层和阴极层的能级位置的高低)以及夹在阴极层2和阳极层1间的“有机功能层”。其中“有机功能层”其可为单层结构的发光层,也可由多个不同的层组成;“有机功能层”至少包括一个发光层(EML)5,但其还可包括:位于发光层5与阴极层2间的电子传输层(ETL)4和电子注入层(EIL)7;位于有机电致发光层5与阳极层1间的空穴注入层(HIL)6和空穴传输层(HTL)3等其他结构。一般电子传输层4的HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital,分子最高已占轨道)能级位置要低于发光层5的HOMO能级位置,用来阻挡空穴载流子向阴极层2的传输,所以电子传输层5的与发光层5之间的界面的空穴载流子浓度非常高,所以这个区域就非常容易引起载流子对激子的淬灭。在申请号为200910067007.4中公开一种有机发光二极管结构,在发光层掺杂了一种电子载流子传输材料,增强了载流子的注入能力,减少激子的聚集以及淬灭,从而提高了有机发光二极管的效率。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题:由于发光层5与电极功函数的差异,载流子在能级势垒的位置聚集,导致了激子的淬灭;所以有人通过使用高功函数的阳极层1/双传输载流子发光层5/电子传输层4/阴极层2结构减小了这种载流子的聚集导致的激子的淬灭,但是由于发光层5的材料有双传输性能,没有复合的电子载流子向阳极层1移动,导致载流子在电极处的淬灭。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括,针对现有的现有技术中存在的上述不足,提供一种可以提高有机发光器件的发光效率以及延长其使用寿命的有机电致发光器件。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种有机发光器件,其包括阳极层、阴极层,以及设置在阳极层与阴极层之间的有机功能层,所述有机功能层包括发光层,所述阳极层到有机功能层的注入势垒和阴极层到有机功能层的注入势垒均不超过1ev;所述发光层包括位于所述阳极层一侧的空穴载流子传输区、位于所述阴极层一侧的电子载流子传输区以及位于空穴载流子传输区和电子载流子传输区之间的发光区,其中,空穴载流子从空穴载流子传输区到发光区,以及电子载流子从电子载流子传输区到发光区均无势垒。

本发明的有机电致发光器件,通过对有机功能层的合理设置,从而调节了载流子的传输分布,提高了有机电致发光器件的发光效率,及有利于提高有机电致发光器件的寿命。同时,通过传输层、发光层等有机层材料的选择、阻挡层的设置,调节载流子在OLED器件中的分布,避免载流子在电极处的淬灭、载流子对激子的淬灭。

优选的是,所述发光层由空穴载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂的荧光发光的有机材料制成,或所述发光层由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成,或所述发光层由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。

优选的是,所述发光层由电子载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂的荧光发光的有机材料制成,或所述发光层由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成,或所述发光层由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。

优选的是,所述有机功能层还包括设置于发光层与阴极层之间的电子传输层,且电子传输层的LUMO能级位置比所述发光层LUMO能级位置高0~1ev,其中,发光层对空穴载流子传输能力不低于对电子载流子的传输能力。

进一步优选的是,所述电子传输层HOMO能级位置比发光层HOMO能级位置低0~1ev。

进一步优选的是,所述有机功能层还设包括电子阻挡层,所述电子阻挡层用于阻挡未复合的电子载流子迁移到阳极层。

更进一步优选的是,所述电子阻挡层的厚度在1nm至10nm之间。

优选的是,所述有机功能层还包括设置于阳极层与发光层之间的空穴传输层,且空穴传输层的HOMO能级位置比发光层的HOMO能级位置低0~1ev,其中,所述发光层的电子载流子的传输能力大于对空穴载流子的传输能力。

进一步优选的是,所述空穴传输层的LUMO能级位置比发光层的LUMO能级位置高0~1ev。

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