[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体制造装置及树脂密封用片状树脂在审
申请号: | 201310721866.7 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN104425292A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 前田竹识;川户雅敏;松岛良二;福田昌利 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 树脂 密封 片状 | ||
本发明涉及半导体装置的制造方法、半导体制造装置及树脂密封用片状树脂。本发明的实施方式提供能够对片状树脂的溶融不均匀化及由摆动所引起的外观质量下降中的至少一方进行抑制的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法包括:准备具有凹部的片状树脂(1)的步骤;在压缩成形用的第1模具内配置设置有半导体芯片(18)的基板(19)的步骤;在压缩成形用的第2模具内将具有凹部的片状树脂(1)配置为与半导体芯片(18)相对的步骤;对具有凹部的片状树脂(1)进行加热的步骤;使第1模具和第2模具接近、使半导体芯片(18)浸渍于加热而溶融了的溶融树脂中以进行压缩成形,从而用溶融树脂的固化物对半导体芯片(18)进行密封。
本申请要求以日本专利申请2013-188044号(申请日:2013年9月11日)为基础的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括该基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及半导体装置的制造方法、半导体制造装置及树脂密封用片状树脂。
背景技术
作为半导体芯片的树脂密封方式之一已知压缩成形方式。压缩成形方式为如下方式:利用分成上模具及下模具的金属模具,在上模具配置要密封的半导体芯片而在下模具配置树脂,并使上模具与下模具接近并使上侧的半导体芯片浸渍于溶融的下侧的树脂中,通过压缩成形进行树脂密封。例如,与从金属模具的侧面注入树脂的传递成形方式相比较,压缩成形方式因为使半导体芯片浸渍于树脂中时的树脂流动量少所以金属线难以变形,并且存在容易使树脂遍布半导体芯片的整个表面这样的优点。
作为在上述压缩成形方式时所采用的树脂,例如可举出颗粒状树脂和片状树脂等。尤其是片状树脂因为能够比颗粒状树脂提高树脂的厚度的均匀性,例如在对大型的基板进行密封的情况下能够使节拍时间(takt time)提高,所以优选。
在作为上述树脂采用片状树脂的情况下,例如有时压缩成形时的片状树脂的溶融不均匀,并且/或者在压缩成形后发生摆动而导致外观质量下降。并且,所述溶融的不均匀和/或摆动,例如随着要密封的半导体芯片的尺寸和/或数量增多更容易产生,因而在压缩成形方式中要求使片状树脂的溶融变得均匀并对由于摆动所造成的外观质量的下降进行抑制。
发明内容
本发明要解决的问题在于提供能够对片状树脂的溶融的不均匀及由摆动所造成的外观质量下降中的至少一方进行抑制的半导体装置的制造方法。
实施方式的半导体制造装置的制造方法包括:准备具有凹部的片状树脂的步骤,该凹部至少包括贯通孔和非贯通孔中的一方;在压缩成形用的第1模具内配置设置有半导体芯片的电路基材的步骤;在压缩成形用的第2模具内将具有凹部的片状树脂配置为与半导体芯片相对的步骤;对具有凹部的片状树脂进行加热的步骤;和使第1模具与第2模具接近、使半导体芯片浸渍于加热而溶融了的溶融树脂中以进行压缩成形,从而用溶融树脂的固化物对半导体芯片进行密封的步骤。
附图说明
图1是表示第1实施方式中的半导体制造装置及半导体装置的制造方法的示意图。
图2是表示第2实施方式中的片状树脂的例子的图。
图3是表示第2实施方式中的片状树脂的例子的图。
图4是表示第2实施方式中的片状树脂的例子的图。
图5是表示第2实施方式中的片状树脂的例子的图。
附图标记说明
1…片状树脂,2…凹部,2a…凹部,10…树脂,12…模具,13…模具,
14…加热器,18…半导体芯片,19…基板,20…凹部形成器,
31…树脂加工部,32…压缩成形部,33…基板输送部,
34…树脂输送部,50…气泡。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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