[发明专利]软基材双面镀膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及气体放电技术领域，具体而言，涉及一种软基材双面镀膜装置。

背景技术

PECVD借助于气体辉光放电产生的低温等离子体，增强反应位置的化学活性。促进了气体间的化学反应，从而在低温下也能在基材上形成固体膜。固体膜可以敷在软基材、或片式基材上。固态薄膜沉积在基膜上以高其阻隔性。固态薄膜在沉积的过程中，单面沉积薄膜的阻隔性要明显低于双面沉积的薄膜的阻隔性。通常以12um厚度PET薄膜（耐高温聚酯薄膜）为例，氧气透过率(Oxygen Transmission Rate,简称OTR,透氧率)为128cc/m².day以上；其WVTR（水蒸汽透过率）为32.9cc/m².day以上。在PET薄膜上蒸镀单层SiO_X薄膜，其OTR可降低为3cc/m².day以下；其WVTR为5cc/m².day以下。而通过单面多层蒸镀的SiO_X薄膜,其OTR可降低到2cc/m².day以下；其WVTR为2cc/m².day以下。而采用双面分别单层蒸镀的SiO_X薄膜，其OTR可降低为0.5cc/m².day以下；其WVTR为0.5cc/m².day以下。单面沉积多层薄膜后，其阻隔性下降不明显。而采用双面多层沉积的薄膜，阻隔性下降明显。一般的镀膜设备可以实现单面镀膜，要想实现双面镀膜，只能再把镀一面膜的基材放到设备中间，在薄膜的另一面上沉积薄膜。两次镀膜中存在薄膜被多次拉伸的情况，导致第一次沉积的薄膜出现表面摩擦、局部脱落、表面裂纹等问题，以至于导致整体薄膜的阻隔性下降。

发明内容

本发明旨在提供一种软基材双面镀膜装置，能够实现软基材的双面镀膜，防止软基材表面薄膜出现表面摩擦、局部脱落、表面裂纹等问题，保证整体薄膜的阻隔性。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种软基材双面镀膜装置，包括：预处理室，待镀膜软基材设置在预处理室内；镀膜室，设置在预处理室的出料口，镀膜室内设置有放电电极对，放电电极对包括相对设置的第一放电电极和第二放电电极，待镀膜软基材穿设在第一放电电极和第二放电电极之间，并由第一放电电极和第二放电电极进行双面镀膜；收料室，设置在镀膜室的出料口，并收集镀膜后的软基材。

进一步地，软基材双面镀膜装置还包括导向轮，软基材绕设在导向轮上，软基材与导向轮之间的包角小于或等于90度。

进一步地，导向轮为多个，多个导向轮两两为一组，多组导向轮上下间隔并依次错位设置。

进一步地，放电电极对为多组，相邻的两组导向轮之间设置有至少一组放电电极对。

进一步地，第一放电电极和第二放电电极平行设置，第一放电电极包括朝向第二放电电极的第一汇流电极，第二放电电极包括朝向第一放电电极的第二汇流电极，第一汇流电极和第二汇流电极上分别具有对应设置的放电突起。

进一步地，第一汇流电极上设置有第一放电突起、第二放电突起和第三放电突起，第二汇流电极上设置有与第一放电突起对应设置的第四放电突起、与第二放电突起对应设置的第五放电突起以及与第三放电突起对应设置的第六放电突起。

进一步地，镀膜室的侧壁上设置有通气口，通气口朝向相邻的两个突起之间。

进一步地，对应设置的放电突起之间的间距为10至70mm。

进一步地，预处理室、镀膜室和收料室之间为真空密封连接。

进一步地，软基材双面镀膜装置还包括用于对预处理室、镀膜室和/或收料室抽真空的排气装置。

应用本发明的技术方案，软基材双面镀膜装置包括：预处理室，待镀膜软基材设置在预处理室内；镀膜室，设置在预处理室的出料口，镀膜室内设置有放电电极对，放电电极对包括相对设置的第一放电电极和第二放电电极，待镀膜软基材穿设在第一放电电极和第二放电电极之间，并由第一放电电极和第二放电电极进行双面镀膜；收料室，设置在镀膜室的出料口，并收集镀膜后的软基材。在对软基材进行镀膜时，第一放电电极和第二放电电极可以同时对待镀膜软基材的两个相对侧进行镀膜，避免了多次镀膜所带来的软基材表面薄膜出现表面摩擦、局部脱落、表面裂纹等问题，使得软基材表面可以形成高阻隔性薄膜，并可以提高成膜效率。

附图说明