[发明专利]导电金属互联线及其制备方法有效
| 申请号： | 201310722431.4 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN103715171A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 赵策;姜春生;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 金属 互联线 及其 制备 方法 | ||
1.一种导电金属互联线，其特征在于，包括交互往复沉积于衬底上的至少一层导电金属膜层和至少一层厚度为纳米量级的高熔点金属膜层；
所述至少一层导电金属膜层的厚度和所述至少一层高熔点金属膜层的厚度的总和为预先设定的厚度。
2.如权利要求1所述的导电金属互联线，其特征在于，所述导电金属膜层由铝Al、铜Cu、金Au、银Ag、铂Pt或以上导电金属的合金制成；
所述高熔点金属膜层由钼Mo、钽Ta、铬Cr、钛Ti或钼铌合金制成。
3.如权利要求1所述的导电金属互联线，其特征在于，所述导电金属膜层的晶体结构和所述高熔点金属膜层的晶体结构不同；
所述导电金属膜层的晶体和所述高熔点金属膜层的晶体为FCC面心立方晶体、BCC体心立方晶体或HCP密排六方晶体。
4.如权利要求1或3所述的导电金属互联线，其特征在于，所述导电金属膜层由Al制成，所述高熔点金属膜层由钼Mo制成；
所述导电金属膜层的厚度为所述高熔点金属膜层的厚度为
5.一种导电金属互联线的制备方法，其特征在于，包括:
在衬底表面交互往复沉积至少一层导电金属膜层和至少一层厚度为纳米量级的高熔点金属膜层，直至所述至少一层的导电金属膜层的厚度和所述至少一层高熔点金属膜层的厚度之和达到预先设定的厚度。
6.如权利要求5所述的导电金属互联线的制备方法，其特征在于，
所述导电金属膜层由铝Al、铜Cu、金Au、银Ag、铂Pt或以上导电金属的合金制成；
所述高熔点金属膜层由钼Mo、钽Ta、铬Cr、钛Ti或钼铌合金制成。
7.如权利要求5所述的导电金属互联线的制备方法，其特征在于，
所述导电金属膜层的晶体结构和所述高熔点金属膜层的晶体结构不同；
所述导电金属膜层的晶体和所述高熔点金属膜层的晶体为FCC面心立方晶体、BCC体心立方晶体或HCP密排六方晶体。
8.如权利要求5或7所述的导电金属互联线的制备方法，其特征在于，所述导电金属膜层由Al制成，所述高熔点金属膜层由钼Mo制成；
所述导电金属膜层的厚度为所述高熔点金属膜层的厚度为
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