[发明专利]导电金属互联线及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及金属互联线制备领域，尤其涉及一种导电金属互联线及其制备方法。

背景技术

随着平板显示技术的发展，OLED（Organic Light-Emitting Diode有机电激发光二极管）技术已经逐渐成熟，大尺寸OLED技术已经成为各面板厂商竞争的焦点。若采用传统的Al（铝）制程制作金属互联线已经无法满足其信号传输要求。纯铝作为金属互联线，因其具有较低的电阻率，可应用在大尺寸半导体显示领域，但由于其本身热膨胀系数大、与基板不匹配、熔点低，其作为金属互联线在溅射制作过程中会产生严重的Hillock（小丘）现象，在实际应用中会因其栅极与漏极、漏极与其引线的短路缺陷，并且薄膜晶粒容易生长的过分粗大，会进一步导致表面粗糙度增大，影像背板性能。

目前常采用的解决办法是通过合金化在纯铝中掺入少量的Nd（钕）、Zr（锆）、Ti（钛）、Ta（钽）、Si（硅）、Sc（钪）、Cu（铜）等合金元素，并在Al膜表面沉积一层高熔点金属，来抑制Hillock现象的产生。例如，如图1所示，在基板100上先沉积Al-Nd合金层101，再沉积Mo（钼）层102。但是合金化后的铝合金导电性能下降，也就失去了适用纯铝作为互联线的意义，且这种方法也只适用于沉积制作厚度较小的金属互联线，不适用于纯铝。

平板显示器背板中的金属互联线普遍使用铝（Al）及铝合金材料制作，金属互联线厚度一般控制在（埃）以下，要制作以上及更厚的符合要求的纯铝金属互联线还存在很多问题，在大规模生产应用方面还存在诸多限制，

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种导电金属互联线及其制备方法，以抑制Hillock现象的发生，同时也限制了金属晶粒的过分长大，进而降低整个膜层的表面粗糙度。

为了达到上述目的，本发明提供了一种导电金属互联线，包括交互往复沉积于衬底上的至少一层导电金属膜层和至少一层厚度为纳米量级的高熔点金属膜层；

所述至少一层导电金属膜层的厚度和所述至少一层高熔点金属膜层的厚度的总和为预先设定的厚度。

实施时，所述导电金属膜层由铝Al、铜Cu、金Au、银Ag、铂Pt或以上导电金属的合金制成；

所述高熔点金属膜层由钼Mo、钽Ta、铬Cr、钛Ti或钼铌合金制成。

实施时，所述导电金属膜层的晶体结构和所述高熔点金属膜层的晶体结构不同；所述导电金属膜层的晶体和所述高熔点金属膜层的晶体为FCC面心立方晶体、BCC体心立方晶体或HCP密排六方晶体。

实施时，所述导电金属膜层由Al制成，所述高熔点金属膜层由钼Mo制成；

所述导电金属膜层的厚度为所述高熔点金属膜层的厚度为

本发明还提供了一种导电金属互联线的制备方法，包括:

在衬底表面交互往复沉积至少一层导电金属膜层和至少一层厚度为纳米量级的高熔点金属膜层，直至所述至少一层的导电金属膜层的厚度和所述至少一层高熔点金属膜层的厚度之和达到预先设定的厚度。

实施时，所述导电金属膜层由铝Al、铜Cu、金Au、银Ag、铂Pt或以上导电金属的合金制成；

所述高熔点金属膜层由钼Mo、钽Ta、铬Cr、钛Ti或钼铌合金制成。

实施时，所述导电金属膜层的晶体结构和所述高熔点金属膜层的晶体结构不同；所述导电金属膜层的晶体和所述高熔点金属膜层的晶体为FCC面心立方晶体、BCC体心立方晶体或HCP密排六方晶体。

实施时，所述导电金属膜层由Al制成，所述高熔点金属膜层由钼Mo制成；

所述导电金属膜层的厚度为所述高熔点金属膜层的厚度为

与现有技术相比，本发明所述的导电金属互联线及其制备方法，通过周期性往复沉积至少一层一定厚度的导电金属膜层和至少一层厚度为纳米量级的高熔点金属膜层，形成一种往复堆叠结构，沉积适当厚度的高熔点金属膜层可以有效吸收导电金属膜层中的应力，使导电金属膜层中的应力得到释放，有效抑制了Hillock现象的发生，同时也限制了导电金属晶粒的过分长大，进而降低整个膜层的表面粗糙度，通过这种沉积方法沉积制备的导电金属互联线性能良好，符合大规模生产应用要求。

附图说明

图1是采用传统的Al制程制作金属互联线的结构示意图；

图2是采用本发明所述的在平板显示器背板中制备纯铝金属互联线的方法制备的纯铝金属互联线的一实施例的结构示意图；

图3是采用本发明所述的在平板显示器背板中制备纯铝金属互联线的方法制备的纯铝金属互联线的另一实施例的结构示意图。