[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于，包括：

n型氮化物层；

活性层，形成于上述n型氮化物层上；

p型氮化物层，形成于上述活性层上；

电流断开图案，形成于上述p型氮化物层上；

透明导电图案，以覆盖上述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成，并具有使上述电流断开图案的一部分露出的连通孔；以及

p-电极极板，形成于上述电流断开图案及透明导电图案上，直接与上述电流断开图案相连接。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，还包括n-电极极板，上述n-电极极板形成于上述n型氮化物层的露出区域。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，当俯视时，上述p-电极极板具有第一面积，上述电流断开图案具有大于或等于上述第一面积的第二面积。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，当俯视时，上述p-电极极板的整体面积与上述电流断开图案相重叠。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，当剖视时，上述p-电极极板具有T字形状。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流断开图案由选自SiO₂及SiNx中的一种以上形成。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述电流断开图案的厚度为0.01～0.50μm。

8.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，上述透明导电图案由选自氧化铟锡、氧化铟锌及氟掺杂氧化锡中的一种以上的材质形成。

9.一种氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，包括：

步骤（a），在基板上依次形成n型氮化物层、活性层及p型氮化物层；

步骤（b），在上述p型氮化物层上形成电流断开图案；

步骤（c），在以覆盖上述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成透明导电层之后，对配置在上述基板的一侧边缘的上述透明导电层进行第一次图案化；

步骤（d），依次对向上述基板的一侧边缘露出的p型氮化物层、活性层及n型氮化物层进行台面刻蚀，使得上述n型氮化物层的一部分露出；

步骤（e），对上述透明导电层进行第二次图案化，来形成透明导电图案,上述透明导电图案具有使上述电流断开图案的一部分露出的连通孔；以及

步骤（f），形成直接与上述电流断开图案相连接的p-电极极板，并在露出的上述n型氮化物层上形成n-电极极板。

10.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，在上述步骤（b）中，上述电流断开图案由选自SiO₂及SiNx中的一种以上形成。

11.根据权利要求10所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，上述电流断开图案的厚度为0.01～0.50μm。

12.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，在上述步骤（e）中，上述连通孔以使上述电流断开图案的一半以上的面积露出的方式形成。

13.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，在上述步骤（f）中，当俯视时，上述p-电极极板具有第一面积，上述电流断开图案具有大于或等于上述第一面积的第二面积，上述p-电极极板的整体面积与上述电流断开图案相重叠。

14.根据权利要求13所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，当剖视时，上述p-电极极板具有T字形状。