[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法，更详细地，涉及具有优秀的光散射特性和粘结特性的氮化物半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

最近，作为氮化物半导体发光器件，主要研究氮化镓（GaN）类氮化物半导体发光器件。这种GaN类氮化物半导体发光器件在其应用领域中，应用于蓝色和绿色发光二极管（LED）的发光器件、金属半导体场效应晶体管（MESFET，Metal-Semiconductor FET）、高电子迁移率晶体管（HEMT，High Electron Mobility Transistor）等高速开关和高功率器件。

为了提高氮化物半导体发光器件的光效率，在p型金属电极所处的区域的下部形成电流断开层的同时在电流断开层上形成透明导电图案。此时，透明导电图案起到p-电极极板的电极的作用的同时，还起到使电流扩散的作用。

但是，在具有上述结构的氮化物半导体发光器件中，透明导电图案形成于由绝缘物质组成的电流断开图案上，在这种情况下，由于透明导电图案和p-电极极板分别由金属系列组成，从而存在因相互之间的粘结力差而使接合可靠性急剧下降的问题。

作为相关现有文献，有韩国登录专利10-0793337号（2008年01月11日公告），并在上述文献中公开了氮化物类半导体发光器件及其制造方法。

发明内容

本发明的目的在于，提供能够确保优秀的光散射特性的同时通过提高p-电极极板的粘结力来提高器件的长期可靠性的氮化物半导体发光器件及其制造方法。

用于达成上述目的的本发明的实施例的氮化物半导体发光器件，其特征在于，包括：n型氮化物层；活性层，形成于上述n型氮化物层上；p型氮化物层，形成于上述活性层上；电流断开图案，形成于上述p型氮化物层上；透明导电图案，以覆盖上述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成，并具有使上述电流断开图案的一部分露出的连通孔；以及p-电极极板，形成于上述电流断开图案及透明导电图案上，直接与上述电流断开图案相连接。

用于达成上述目的的本发明的实施例的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤（a），在基板上依次形成n型氮化物层、活性层及p型氮化物层；步骤（b），在上述p型氮化物层上形成电流断开图案；步骤（c），在以覆盖上述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成透明导电层之后，对配置在上述基板的一侧边缘的上述透明导电层进行第一次图案化；步骤（d），依次对向上述基板的一侧边缘露出的p型氮化物层、活性层及n型氮化物层进行台面刻蚀，使得上述n型氮化物层的一部分露出；步骤（e），对上述透明导电层进行第二次图案化，来形成透明导电图案，上述透明导电图案具有使上述电流断开图案的一部分露出的连通孔；以及步骤（f），形成直接与上述电流断开图案相连接的p-电极极板，并在露出的上述n型氮化物层上形成n-电极极板。

在本发明中，能够在p型氮化物层上形成电流断开图案，并在p型氮化物层及电流断开图案的上部形成具有连通孔的透明导电图案，从而提高光散射特性，同时通过具有连通孔的透明导电图案，来使p-电极极板直接与由绝缘物质组成的电流断开图案进行电连接和物理连接，由此提高p-电极极板的粘结特性，提高长期可靠性。

附图说明

图1为表示本发明的实施例的氮化物半导体发光器件的剖视图。

图2为图1的A部分的放大图。

图3为表示本发明的实施例的氮化物半导体发光器件的制造方法的工序顺序图。

图4至图10为表示本发明的实施例的氮化物半导体发光器件的制造方法的工序剖视图。

附图标记的说明

100：氮化物半导体发光器件      105：缓冲层

110：n型氮化物层      120：活性层

130：p型氮化物层      140：电流断开图案

150：透明导电图案     160：p-电极极板

170：n-电极极板       CH：连通孔

10：基板

S110：形成氮化物半导体层的步骤

S120：形成电流断开图案的步骤

S130：对透明导电层进行第一次图案化的步骤

S140：露出n型氮化物层的步骤

S150：对透明导电层进行第二次图案化的步骤

S160：形成电极极板的步骤

具体实施方式