[发明专利]有机发光二极管阵列的制备方法在审
申请号: | 201310724055.2 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN104752457A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 简良能;郑荣安;安东;朱振东;林昌廷;吴逸蔚;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 阵列 制备 方法 | ||
1.一种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括:
提供一基板;
在上述基板一表面形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素;
至少在所述多个凸部的顶面形成多个第一电极,该多个第一电极相互间隔设置;
在每个第一电极的表面转印形成至少一电激发光层作为有机发光层;
形成一图案化的第二绝缘层,该图案化的第二绝缘层至少位于相邻的凸部之间,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及
形成至少一第二电极与该有机发光层电连接。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述基板包括一薄膜晶体管阵列,该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管对应一子像素,且所述在基板的表面形成有序排列的多个凸部具体包括:
形成一连续的第一绝缘层覆盖该薄膜晶体管阵列;以及
在该第一绝缘层远离该薄膜晶体管阵列的表面形成该多个凸部,且每个凸部对应至少一薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述基板包括一薄膜晶体管阵列,该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管对应一子像素;所述形成有序排列的多个凸部的步骤为形成多个呈阵列设置的凸部,每个凸部对应一薄膜晶体管设置,在每个凸部的表面形成一第一电极,每个第一电极对应一个薄膜晶体管且与该对应的薄膜晶体管电连接。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述基板包括一薄膜晶体管阵列,该薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管,每个薄膜晶体管对应一子像素;所述形成有序排列的多个凸部的步骤为形成多个平行且间隔设置的条形凸部,每个凸部对应一列薄膜晶体管设置,且在每个凸部的表面形成多个相互间隔的第一电极,每个第一电极对应一个薄膜晶体管且与该对应的薄膜晶体管电连接。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述至少在所述多个凸部的顶面形成多个第一电极的方法包括:
形成一连续的导电层将该多个凸部覆盖;
图案化该连续的导电层形成多个相互间隔设置的第一电极,且每个第一电极至少设置于对应凸部的顶面和侧面。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,进一步包括形成一第三绝缘层位于相邻的第一电极之间,使相邻的第一电极电绝缘。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述在每个第一电极的表面转印形成至少一电激发光层的方法包括:
提供一印模,并在该印模的一表面形成一有机电激发光薄膜;
使位于凸部顶面的第一电极与该有机电激发光薄膜接触;以及
使该第一电极与该印模分离,与第一电极接触的部分有机电激发光薄膜与印模分离形成在第一电极表面。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述在该印模的表面形成有机电激发光薄膜之前,先在该印模的表面形成一润湿层。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述使第一电极与该印模分离之前或分离的过程中对印模进行热处理。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列的制备方法,其特征在于,所述在每个第一电极的表面转印形成至少一电激发光层的方法包括以下步骤:
在多个第一电极的表面转印制备一电洞注入层,且所述电洞注入层为不连续结构,仅形成于凸部顶面的第一电极的表面;
在所述电洞注入层的表面转印制备一电洞传输层,且所述电洞传输层为不连续结构,仅形成于该电洞注入层表面;
在所述电洞传输层的表面转印形成至少一电激发光层;以及
在所述电激发光层的表面制备一电子传输层和一电子注入层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的