[发明专利]有机发光二极管阵列的制备方法在审
申请号: | 201310724055.2 | 申请日: | 2013-12-25 |
公开(公告)号: | CN104752457A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 简良能;郑荣安;安东;朱振东;林昌廷;吴逸蔚;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 阵列 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)阵列及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管具有自发光的特性,因此,采用有机发光二极管的显示屏无需背光源,能够显著节省电能。而且,采用有机发光二极管的显示屏幕可视角度大,因此,有机发光二极管成为研究热点。
现有技术通常将多个有机发光二极管制备在一基底上形成一阵列。其中,该有机发光二极管阵列的制备方法包括:在一基底上制备一薄膜晶体管(TFT)阵列;在该薄膜晶体管阵列上形成一第一绝缘层;在该第一绝缘层上形成多个第一电极;在该第一绝缘层上形成一第二绝缘层将每个第一电极的边缘覆盖,使每个第一电极的中间部分暴露;在每个第一电极暴露的部分表面形成一有机发光层;以及在该有机发光层上形成一第二电极。
然而,现有技术中形成有机发光层的方法通常为蒸镀,其不仅需要掩模,而且需要高温真空条件。因此,制备工艺复杂,成本较高。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一种工艺简单,成本低廉的有机发光二极管阵列的制备方法。
一种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括:提供一基板;在上述基板一表面形成有序排列的多个凸部,每个凸部对应至少一子像素;至少在所述多个凸部的顶面形成多个第一电极,该多个第一电极相互间隔设置;在每个第一电极的表面转印形成至少一电激发光层作为有机发光层;形成一图案化的第二绝缘层,该图案化的第二绝缘层至少位于相邻的凸部之间,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及形成至少一第二电极与该有机发光层电连接。
一种有机发光二极管阵列的制备方法,其包括:提供一基板;在上述基板一表面形成多个间隔设置的凸部;至少在多个凸部的顶面形成多个条形第一电极,该多个条形第一电极沿第一方向延伸且间隔设置的;在每个第一电极的表面转印形成至少一电激发光层作为有机发光层;形成一图案化的第二绝缘层,且该图案化的第二绝缘层将位于相邻的凸部之间,且使该有机发光层至少顶面暴露;以及形成多个平行且间隔设置的条形第二电极,使所述有机发光层位于该多个第一电极与多个第二电极之间,该多个第二电极与该有机发光层电连接,所述第二电极的延伸方向与第一电极的延伸方向交叉设置,且在每个交叉处定义一子像素。
与现有技术相比较,本发明提供的有机发光二极管阵列的制备方法,通过转印形成有机发光层,避免了蒸镀所需要的掩模和高温真空条件,因此,制备工艺简单,成本低廉。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
图2为本发明第一实施例的多个凸部成二维阵列排布的示意图。
图3为本发明第一实施例的多个条形凸部成一维阵列排布的示意图。
图4为本发明第一实施例制备第一电极的工艺流程图。
图5为本发明第一实施例制备有机发光层的工艺流程图。
图6为本发明第一实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
图7为有机发光二极管的有机发光层的结构示意图。
图8为本发明第二实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
图9为本发明第二实施例制备红光有机发光层的工艺流程图。
图10为本发明第二实施例制备绿光有机发光层的工艺流程图。
图11-12为本发明第二实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
图13为本发明第三实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
图14为本发明第三实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
图15为本发明第四实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
图16为本发明第四实施例制备的有机发光二极管阵列的第二电极的结构示意图。
图17为本发明第五实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
图18为本发明第五实施例一次转印制备不同厚度的电洞传输层的工艺流程图。
图19-20为本发明第五实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
图21为本发明第六实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
图22为本发明第六实施一次转印形成电洞注入层和电洞传输层的工艺流程图。
图23-24为本发明第六实施例提供的有机发光二极管阵列的结构示意图。
图25为本发明第七实施例提供的有机发光二极管阵列的制备方法的工艺流程图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司,未经清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310724055.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:顶发射有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法
- 下一篇:交互式电子装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的