[发明专利]一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法

权利要求书

1.一种Ni掺杂晶硅中间带材料，其特征在于其载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×10¹⁹cm^-3，掺杂Ni杂质形成杂质中间带。

2.如权利要求1所述一种Ni掺杂晶硅中间带材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）使用磁控溅射法或蒸发镀膜法在硅片表面制备一层Ni薄膜；

2）使用一维线型连续激光对Ni薄膜进行激光辐照；

3）用氢氟酸溶液对激光辐照后的硅片进行腐蚀后，得Ni掺杂晶硅中间带材料。

3.如权利要求2所述一种Ni掺杂晶硅中间带材料的制备方法，其特征在于在步骤1）中，所述硅片的厚度为200～500μm。

4.如权利要求2所述一种Ni掺杂晶硅中间带材料的制备方法，其特征在于在步骤1）中，所述Ni薄膜厚度与硅片厚度之比为1～3∶1000。

5.如权利要求2所述一种Ni掺杂晶硅中间带材料的制备方法，其特征在于在步骤2）中，所述激光辐照所用的激光包括但不限于YAG：Nd一维线型连续激光，激光器输入功率为900～1250W；激光器的扫描速率为2～10mm/s。

6.如权利要求2所述一种Ni掺杂晶硅中间带材料的制备方法，其特征在于在步骤3）中，所述氢氟酸溶液的质量浓度为10%～40%。

7.如权利要求2所述一种Ni掺杂晶硅中间带材料的制备方法，其特征在于在步骤3）中，所述腐蚀的时间为5～15min。