[发明专利]一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶体硅，尤其涉及一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法。

背景技术

太阳能光伏发电是未来最理想的洁净可再生能源之一，近些年太阳电池的研究主要围绕降低电池生产成本和提高太阳电池效率两个大方向而进行。通过能带工程在硅的禁带中引入新的中间能带，能够提高硅材料对可见光范围的吸收和拓展红外吸收范围，在不改变开路电压的同时提高短路电流，从而大幅提高硅基中间带太阳电池的光电转换效率。

目前在半导体中引入中间带主要有两种方式：（1）量子点中间带，即利用能带剪裁或量子尺寸效应来产生中间带；（2）杂质中间带，即掺入高浓度的深能级杂质形成杂质中间带。通过在一种材料中注入其它的元素形成中间带，技术更简单成本相对较低，且很有希望能将该技术应用于目前主流的太阳电池材料Si中，易实现规模化生产。

要获得杂质中间带，需要采用非平衡态技术，使深能级杂质的掺杂浓度高于Mott极限浓度(Luque Antonio,MartíAntonio,Antolín Elisa,Tablero César.Intermediate bands versus levels in non-radiative recombination[J].Physica B:Condensed Matter2006;382(1):320-327)。目前已报道的成功在硅中引入杂质中间带的元素金属有钛(Olea J,Toledano-Luque M,Pastor D,San-Andrés E,Mártil I,González-Díaz G.High quality Ti-implanted Si layers above the Mott limit[J].Journal of Applied Physics2010;107(10):103524-5)，非金属元素有、硫、硒和碲；而以金属作为深能级杂质进行过饱和掺杂所采用的非平衡态技术主要是：先采用离子注入，再进行脉冲激光退火。

发明内容

本发明的目的在于提供通过一维线型连续激光辐照掺杂制备的一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法。

所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×10¹⁹cm^-3，掺杂Ni杂质形成杂质中间带。

所述Ni掺杂晶硅中间带材料的制备方法，包括如下步骤：

1）使用磁控溅射法或蒸发镀膜法在硅片表面制备一层Ni薄膜；

2）使用一维线型连续激光对Ni薄膜进行激光辐照；

3）用氢氟酸溶液对激光辐照后的硅片进行腐蚀后，得Ni掺杂晶硅中间带材料。

在步骤1）中，所述硅片的厚度可为200～500μm，所述Ni薄膜厚度与硅片厚度之比可为（1～3）∶1000。

在步骤2）中，所述激光辐照所用的激光包括但不限于YAG：Nd一维线型连续激光，激光器输入功率可为900～1250W；激光器的扫描速率可为2～10mm/s。

在步骤3）中，所述氢氟酸溶液的质量浓度可为10%～40%；所述腐蚀的时间可为5～15min。

本发明具有以下效果：

1）本发明所述Ni掺杂晶硅中间带材料能明显提高红外光谱的吸收，提高少子寿命，使用该材料制备的中间带电池能明显提高太阳能电池对红外部分太阳光的利用率，减少电池的发热，提高电池效率，成本低，制作快速简便；由于该材料是硅基光电材料，故易与硅基的光电器件集成，也易与硅微电子加工工艺兼容，有利于实现产业化。

2）本发明制备的的Ni掺杂晶体硅中间带材料的少子寿命从10μs以下提高到50～200μs（测试仪器为WT1000B少子寿命测试仪）；与未经掺杂处理的原始硅片相比，经过处理后得到的Ni掺杂晶体硅中间带材料对1～3μm波段红外光的吸收率提高了30%以上。这种材料不仅提高了硅材料的光吸收，还提高材料的少子寿命，使用该材料制作的太阳能电池能够大大提高电池的效率。同时该材料还能用于制作光电探测器。

3）本发明所提供的制备方法解决了Ni杂质在硅材料中超过Mott极限浓度的掺杂问题。

附图说明

图1是原始硅片少子寿命的测试结果。

图2是本发明实施例1所得中间带材料少子寿命的测试结果。

图3是本发明实施例2所得中间带材料少子寿命的测试结果。

图4是本发明实施例3所得中间带材料少子寿命的测试结果。

具体实施方式