[发明专利]集成电路的阱的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路的阱的制造方法，其包括：

在衬底表面形成初始氧化层，在初始氧化层表面淀积氮化硅，形成氮化硅层；

在氮化硅层表面涂覆光刻胶，去除第一预设区域的光刻胶和氮化硅，使该第一预设区域内暴露出初始氧化层；

在所述第一预设区域的衬底的表层形成第一元素掺杂区，去除所述第一预设区域之外的光刻胶，在所述第一元素掺杂区的表面形成第一氧化层，所述第一氧化层的厚度大于所述初始氧化层的厚度；

去除所述第一预设区域之外的氮化硅，在初始氧化层和第一氧化层表面重新形成氮化硅层，在其表面涂覆光刻胶，去除第二预设区域的光刻胶和氮化硅，所述第二预设区域包括与第一预设区域重合的第三预设区域，以及与第一预设区域不重合的第四预设区域；

在所述第四预设区域的衬底的表层形成第二元素掺杂区，去除所述第二预设区域之外的光刻胶，在所述第二元素掺杂区的表面形成第二氧化层，在所述第三预设区域形成第三氧化层，所述第三氧化层的厚度大于所述第一氧化层；

去除所述第二预设区域之外的氮化硅，在所述第一预设区域和所述第二预设区域之外的衬底表层形成第二元素掺杂区；

对经上述处理的衬底进行热处理，以使得上述第一元素和第二元素扩散形成P阱和N阱；

其中所述第一元素或第二元素选自硼元素和ⅤA族元素中的一种，且所述第一元素和第二元素不同族。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一元素为硼元素，所述第二元素为磷元素。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一预设区域和所述第二预设区域之外的衬底表层形成与在所述第四预设区域的所述衬底表层形成的第二元素掺杂区的掺杂浓度不同的第二元素掺杂区。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述初始氧化层的厚度为20-500埃。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氮化硅层的厚度为500-10000埃。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一元素掺杂区或第二元素掺杂区的方法为：采用离子注入的方法，注入第一元素或第二元素至相应区域的衬底表层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，注入第一元素采用的剂量为3E12-3E13原子/平方厘米，注入第二元素采用的剂量为0.5E12-3E13原子/平方厘米。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述注入第一元素的注入能量为能够使第一元素的原子穿透所述初始氧化层到达所述衬底表层，且不能穿透所述光刻胶。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述注入第二元素的注入能量为能够使第二元素的原子穿透所述初始氧化层到达所述衬底表层，且不能穿透所述光刻胶、第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中，所述注入能量为10-1000千电子伏。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热处理为在温度900-1300摄氏度下处理30-900分钟。