[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板的第一面形成栅线、栅极和覆盖栅线和栅极的栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成半导体薄膜；

利用所述栅极和栅线作为掩膜对所述半导体薄膜进行构图，形成位于所述栅线和栅极所在区域内部的源半导体层；

利用所述源半导体层制作目标半导体层。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，利用所述栅极和栅线作为掩膜对所述半导体薄膜进行构图，形成位于所述栅线和栅极所在区域内部的源半导体层具体为：

在包括所述半导体薄膜的基板上形成正性光刻胶薄膜；

从所述基板的与第一面相对的第二面对所述正性光刻胶薄膜进行曝光处理；

对曝光后的正性光刻胶薄膜进行显影，去除位于栅线和栅极所在区域之外的被曝光的正性光刻胶，以暴露位于栅线和栅极所在区域外的半导体薄膜；

去除暴露出的位于栅线和栅极所在区域外的半导体薄膜，得到所述源半导体层。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，利用所述源半导体层制作目标半导体层的步骤在形成源漏电极薄膜之前，通过一次构图工艺完成。

4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述利用所述源半导体层制作目标半导体层的步骤具体包括：

在所述源半导体层上形成正性光刻胶薄膜；

对所述正性光刻胶薄膜进行曝光处理；

对曝光后的正性光刻胶薄膜进行显影，去除位于预定形成薄膜晶体管和数据线的区域之外的被曝光的正性光刻胶，以暴露位于预定形成薄膜晶体管和数据线的区域之外的源半导体层；

去除暴露出的位于预定形成薄膜晶体管和数据线的区域之外的源半导体层，得到所述目标半导体层。

5.如权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，利用所述源半导体层制作目标半导体层的步骤和制作数据线以及薄膜晶体管的源、漏电极一起完成。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，制作目标半导体层和制作薄膜晶体管的源、漏电极通过半掩膜工艺一次构图形成。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述利用所述源半导体层制作目标半导体层的步骤具体包括：

在所述源半导体层之上形成源漏电极薄膜；

去除预定形成薄膜晶体管和数据线的区域之外的源漏电极薄膜和预定形成薄膜晶体管和数据线的区域之外的源半导体层；

对保留在预定形成薄膜晶体管的区域内的源漏电极薄膜进行刻蚀处理，形成源、漏电极。

8.一种使用权利要求1-7中任意一项制作的阵列基板。

9.一种显示装置，包括权利要求8所述的阵列基板。