[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

阵列基板是薄膜晶体管液晶显示器（TFT LCD）的主要组成之一。薄膜晶体管（TFT）的阵列基板的在制备时，首先要形成栅线、栅极和覆盖栅线和栅极的栅绝缘层，进一步，在栅绝缘层上形成有源层。

在形成有源层时，需要在栅绝缘层上先涂覆了用于制造有源层的半导体薄膜，在半导体薄膜上涂布光刻胶，再通过掩膜版从正面照射光刻胶，进而通过刻蚀和显影等工艺过程来形成所述有源层。

但是上述的技术方案中，不可避免的会存在掩膜版对位不准的问题，导致制造的有源层错位。进一步地，有源层的错位会使得背光源有部分光线照射到有源层上，产生漏电流，最终导致用阵列基板制造得到的显示器亮度不均匀。

发明内容

本发明的目的是提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，避免有源层错位，进而避免由于有源层错位所导致的显示器亮度不均匀的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：

在衬底基板的第一面形成栅线、栅极和覆盖栅线和栅极的栅绝缘层；

在栅绝缘层上形成半导体薄膜；

利用所述栅极和栅线作为掩膜对所述半导体薄膜进行构图，形成位于所述栅线和栅极所在区域内部的源半导体层；

利用所述源半导体层制作目标半导体层。

上述的阵列基板的制作方法，其中，利用所述栅极和栅线作为掩膜对所述半导体薄膜进行构图，形成位于所述栅线和栅极所在区域内部的源半导体层具体为：

在包括所述半导体薄膜的基板上形成正性光刻胶薄膜；

从所述基板的与第一面相对的第二面对所述正性光刻胶薄膜进行曝光处理；

对曝光后的正性光刻胶薄膜进行显影，去除位于栅线和栅极所在区域之外的被曝光的正性光刻胶，以暴露位于栅线和栅极所在区域外的半导体薄膜；

去除暴露出的位于栅线和栅极所在区域外的半导体薄膜，得到所述源半导体层。

上述的阵列基板的制作方法，其中，利用所述源半导体层制作目标半导体层的步骤在形成源漏电极薄膜之前，通过一次构图工艺完成。

上述的阵列基板的制作方法，其中，所述利用所述源半导体层制作目标半导体层的步骤具体包括：

在所述源半导体层上形成正性光刻胶薄膜；

对所述正性光刻胶薄膜进行曝光处理；

对曝光后的正性光刻胶薄膜进行显影，去除位于预定形成薄膜晶体管和数据线的区域之外的被曝光的正性光刻胶，以暴露位于预定形成薄膜晶体管和数据线的区域之外的源半导体层；

去除暴露出的位于预定形成薄膜晶体管和数据线的区域之外的源半导体层，得到所述目标半导体层。

上述的阵列基板的制作方法，其中，利用所述源半导体层制作目标半导体层的步骤和制作数据线以及薄膜晶体管的源、漏电极一起完成。

上述的阵列基板的制作方法，其中，制作目标半导体层和制作薄膜晶体管的源、漏电极通过半掩膜工艺一次构图形成。

上述的阵列基板的制作方法，其中，所述利用所述源半导体层制作目标半导体层的步骤具体包括：

在所述源半导体层之上形成源漏电极薄膜；

去除预定形成薄膜晶体管和数据线的区域之外的源漏电极薄膜和预定形成薄膜晶体管和数据线的区域之外的源半导体层；

对保留在预定形成薄膜晶体管的区域内的源漏电极薄膜进行刻蚀处理，形成源、漏电极。

为了实现上述目的，本发明实施例还提供了一种使用上述任意一项制作的阵列基板。

为了实现上述目的，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明实施例利用所述栅极和栅线作为掩膜对用于制作有源层的半导体薄膜进行构图。首先形成位于所述栅线和栅极所在区域内部的源半导体层，源半导体层是从相对于形成栅极的第一面的第二面进行曝光得到，得到的源半导体层位于栅线和栅极所在区域的内部。那么利用该源半导体层制作的目标半导体层也必然位于栅线和栅极所在区域的内部。本发明实施例通过上述方式避免有源层错位，进一步地避免由于有源层错位而导致的显示器亮度不均匀的问题。

附图说明

图1为本发明实施例提供的阵列基板制作方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的源半导体薄膜的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的将数据线布置在源半导体薄膜上的示意图；

图4为本发明实施例提供的一种形成目标半导体薄膜的示意图；